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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MDS1655URH-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: MDS1655URH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### MDS1655URH-VB 产品概述:

MDS1655URH-VB 是一款高效的 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,具备优良的导电性能和开关特性。其最大漏源电压(VDS)为 30V,漏电流(ID)可达 13A,适合多种高效能应用。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术,提供了超低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS = 4.5V 时为 11mΩ,而在 VGS = 10V 时更低至 8mΩ。这种特性使得 MDS1655URH-VB 在功率损耗方面表现卓越,能够显著提升设备的整体效率。其栅极阈值电压(Vth)为 1.7V,使其在低电压控制下也能正常工作,适合于各种电源管理和开关应用。

### 详细参数说明:

- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N 沟道
- **VDS (漏-源电压)**: 30V
- **VGS (栅-源电压)**: ±20V
- **Vth (栅极阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON) (漏源导通电阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏电流)**: 13A
- **技术**: 沟槽 (Trench) 技术
- **工作温度范围**: 能够在广泛的温度范围内工作,适用于各种应用环境。

### 应用领域和模块:

1. **电源管理和 DC-DC 转换器**:  
  MDS1655URH-VB 非常适合用于电源管理模块和 DC-DC 转换器,尤其是在需要高效率和低功耗的场合。其低导通电阻确保在大电流传输时功率损耗最小化,提升了整个电源系统的能量转换效率。

2. **开关电源(SMPS)**:  
  该 MOSFET 适合用于开关电源(SMPS)应用,能够提供快速开关能力和稳定的性能。MDS1655URH-VB 能够在高频开关操作下保持良好的性能,适用于各类电子设备的电源供电。

3. **LED 驱动电路**:  
  在 LED 照明驱动电路中,MDS1655URH-VB 可以作为高效开关控制器,确保 LED 的稳定驱动和高亮度输出。其低 RDS(ON) 有助于减少发热,提高系统的可靠性。

4. **电机驱动和控制**:  
  由于其良好的导电性能,MDS1655URH-VB 可用于小型电机驱动应用,提供高效的电流控制和快速响应。适合于各种电动工具和家电产品中,如风扇和泵等。

综上所述,MDS1655URH-VB 以其先进的沟槽技术和低导通电阻,广泛适用于电源管理、LED 驱动和电机控制等需要高效能和可靠性的领域。

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