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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF8714TRPBF-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: IRF8714TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRF8714TRPBF-VB 产品简介
IRF8714TRPBF-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为低电压应用设计。它具有 30V 的漏源击穿电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,具有极低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 11mΩ,而在 VGS=10V 时则为 8mΩ。最大漏极电流 (ID) 为 13A。其采用了先进的 Trench 技术,具有更高的开关效率和更低的导通损耗,非常适用于高效能电路设计。

### IRF8714TRPBF-VB 参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **沟道配置**: 单 N 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench
- **耗散功率**: 2.5W
- **结与环境的热阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **结与壳体的热阻 (RθJC)**: 5°C/W
- **开关时间**: 开启时间约为 17ns,关闭时间约为 48ns

### 应用领域和模块示例
1. **DC-DC 转换器**
  IRF8714TRPBF-VB 是 DC-DC 转换器中理想的选择,特别是在需要高效率的低电压应用中。其低导通电阻和快速开关特性使其能够在高负载条件下保持稳定性能。

2. **电机驱动**
  在电机驱动应用中,该 MOSFET 能够提供高电流支持和低开关损耗,适合用于小型电机和步进电机控制系统中,提升整体系统的效率和响应速度。

3. **电源管理**
  在电源管理模块中,IRF8714TRPBF-VB 的高效能开关特性使其适合用于电源开关和电流保护电路,保证电源的稳定性和可靠性。

4. **消费电子产品**
  对于消费电子产品,如笔记本电脑和移动设备,MOSFET 的低导通电阻和小封装设计使其适用于功率调节和负载开关,优化设备的电池使用寿命和性能。

5. **LED 驱动器**
  在 LED 驱动器应用中,IRF8714TRPBF-VB 可以用于高效的 LED 控制电路中,提供稳定的电流和较低的功率损耗,增强整体照明效果。

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