企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

IRF3415STRLPBF-VB一款TO263封装N-Channel场效应MOS管

型号: IRF3415STRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装,专为高电压和中高电流应用设计。其采用 Trench 技术,能够在高电压条件下提供稳定的性能。该 MOSFET 的漏源电压高达 150V,漏电流最大可达 75A,并且具有适中的导通电阻。IRF3415STRLPBF-VB 适用于需要高电压和高效能的电子系统,能够有效地降低功率损耗和提高系统的稳定性。

### 详细参数说明

- **型号**: IRF3415STRLPBF-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单一 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 150V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 75A
- **技术**: Trench

### 应用领域与模块

**IRF3415STRLPBF-VB** 的设计和性能使其在以下领域中表现卓越:

1. **电源管理和开关电源**: 在高电压开关电源和 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 能够处理较高的电压和电流,同时保持相对较低的导通电阻。这使得它在高电压电源转换和功率管理系统中能够高效地运行,减少功率损耗。

2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统和充电器中,IRF3415STRLPBF-VB 的高漏源电压和稳定性能使其能够有效处理高电压下的功率转换,保证电池系统的安全和效率。

3. **工业电机驱动**: 在需要处理高电压和电流的电机驱动应用中,该 MOSFET 的高电压承受能力和良好的热管理特性能够提供可靠的电流控制,确保电机驱动系统的稳定运行。

4. **高功率逆变器**: 在太阳能逆变器和其他高功率逆变应用中,IRF3415STRLPBF-VB 能够处理较高的电压负荷,同时提供高效的功率转换。其高电压和中高电流的特性使其适用于高功率电源系统。

总结而言,**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款具有高电压能力、适中导通电阻和可靠性能的 MOSFET,非常适合用于高电压和高功率应用领域中的功率管理和转换系统。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    887浏览量