--- 产品参数 ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 150V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
- ID 75A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装,专为高电压和中高电流应用设计。其采用 Trench 技术,能够在高电压条件下提供稳定的性能。该 MOSFET 的漏源电压高达 150V,漏电流最大可达 75A,并且具有适中的导通电阻。IRF3415STRLPBF-VB 适用于需要高电压和高效能的电子系统,能够有效地降低功率损耗和提高系统的稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**: IRF3415STRLPBF-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单一 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 150V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 75A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
**IRF3415STRLPBF-VB** 的设计和性能使其在以下领域中表现卓越:
1. **电源管理和开关电源**: 在高电压开关电源和 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 能够处理较高的电压和电流,同时保持相对较低的导通电阻。这使得它在高电压电源转换和功率管理系统中能够高效地运行,减少功率损耗。
2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统和充电器中,IRF3415STRLPBF-VB 的高漏源电压和稳定性能使其能够有效处理高电压下的功率转换,保证电池系统的安全和效率。
3. **工业电机驱动**: 在需要处理高电压和电流的电机驱动应用中,该 MOSFET 的高电压承受能力和良好的热管理特性能够提供可靠的电流控制,确保电机驱动系统的稳定运行。
4. **高功率逆变器**: 在太阳能逆变器和其他高功率逆变应用中,IRF3415STRLPBF-VB 能够处理较高的电压负荷,同时提供高效的功率转换。其高电压和中高电流的特性使其适用于高功率电源系统。
总结而言,**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款具有高电压能力、适中导通电阻和可靠性能的 MOSFET,非常适合用于高电压和高功率应用领域中的功率管理和转换系统。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12