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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF2903ZSPBF-VB一款TO263封装N-Channel场效应MOS管

型号: IRF2903ZSPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
  • ID 260A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRF2903ZSPBF-VB 产品简介

**IRF2903ZSPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。它基于 Trench 技术设计,具备极低的导通电阻和极高的电流处理能力。这款 MOSFET 能够在最大 30V 的漏极到源极电压(VDS)下稳定工作,其超低的导通电阻(RDS(ON))确保了最小的功率损耗,适合高效能和高负载应用。IRF2903ZSPBF-VB 的设计使其在开关操作中提供了卓越的性能和可靠性。

### 详细参数说明

- **型号**: IRF2903ZSPBF-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单一 N-Channel
- **最大漏极到源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极到源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1.6mΩ(VGS = 4.5V)
 - 1.4mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 260A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **高功率电源转换器**
  - 在高功率电源转换器中,IRF2903ZSPBF-VB 的极低 RDS(ON) 值和高电流处理能力使其成为理想选择。它能够在高电流负载下保持低功率损耗,提升 DC-DC 转换器的效率和稳定性。

2. **电动汽车(EV)**
  - 在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动系统中,IRF2903ZSPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻有助于优化电动机的控制性能和电池充放电管理,从而提升车辆的整体性能和续航能力。

3. **电机驱动**
  - 在电机驱动应用中,这款 MOSFET 能够有效处理高电流负载。其低导通电阻保证了高效能的电机控制,适用于需要高功率开关控制的电机驱动系统。

4. **工业电源管理**
  - 在工业电源管理和自动化设备中,IRF2903ZSPBF-VB 的高电流能力和低功耗特性使其适合用于高功率负载的控制,如电机驱动和加热器控制,提升设备的可靠性和效率。

5. **高性能计算机电源**
  - 用于高性能计算机电源管理时,IRF2903ZSPBF-VB 能够提供稳定的开关控制,减少功率损耗并提高电源效率。其超低的导通电阻确保了电源在高负载条件下的高效能和稳定性。

IRF2903ZSPBF-VB 的卓越性能使其在各类高功率和高电流应用中表现出色,能够满足现代电子设备对高效能、低功耗和高可靠性的需求。

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