--- 产品参数 ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 205mΩ@VGS=10V
- ID 20A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IPW90R500C3-VB 产品简介
IPW90R500C3-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,封装形式为TO247。这款MOSFET 设计用于需要高电压和高电流的应用,具有900V的击穿电压和205mΩ的导通电阻。它采用了超级结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,能够在高电压环境下提供优良的开关性能和低功率损耗。IPW90R500C3-VB 适合用于高压电源转换、电机控制以及各种工业电力系统。
### 二、IPW90R500C3-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:900V
- **栅极驱动电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:205mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:20A
- **技术**:超级结(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗 (Ptot)**:125W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关速度**:快速开关能力
- **封装引脚数**:3引脚
### 三、应用领域和模块
1. **高压开关电源(SMPS)**:IPW90R500C3-VB 在高压开关电源系统中表现出色。其900V的高击穿电压和205mΩ的导通电阻使其能够高效地处理高电压的电源转换,适用于高电压DC-DC转换器和AC-DC转换器,确保系统的高效能和稳定性。
2. **功率逆变器**:该MOSFET 在功率逆变器应用中也非常适用,尤其是在需要高电压和高电流控制的逆变器中,如太阳能逆变器和工业电力逆变器。其高电压耐受能力能够确保逆变器在高电压下稳定工作。
3. **工业电机驱动**:IPW90R500C3-VB 可以在电动机驱动系统中发挥重要作用。它能够处理高电压和高电流需求,适用于大功率电机的控制,提供稳定的驱动能力和高效的电力传输。
4. **不间断电源(UPS)**:在UPS系统中,这款MOSFET 的高电压处理能力和低开关损耗可以确保在电力中断时提供可靠的备用电源,保障关键设备的持续运行和系统的稳定性。
5. **高压电池管理系统(BMS)**:IPW90R500C3-VB 适用于高压电池管理系统,能够有效控制高电压电池组的充电和放电过程,提高系统的整体效率和安全性。特别是在高电压电池系统中,它的低导通电阻和高电压耐受能力有助于优化电池管理和延长电池寿命。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12