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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW65R280E6-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW65R280E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IPW65R280E6-VB 产品简介

IPW65R280E6-VB 是一款高电压单通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封装,专为高功率和高电压应用设计。其漏源极电压 (VDS) 高达 700V,能够在高电压环境下稳定运行,适合要求高电压隔离的应用。该 MOSFET 的栅源极电压 (VGS) 额定为 ±30V,开启电压 (Vth) 为 3.5V。导通电阻 (RDS(ON)) 为 210mΩ (VGS=10V),最大漏极电流 (ID) 为 20A。采用 SJ_Multi-EPI 技术,这款 MOSFET 提供了优秀的开关性能和功率密度,适用于要求高电压和较高电流的电力电子系统。

### 二、IPW65R280E6-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:TO247
2. **配置**:单通道 N 型 MOSFET
3. **漏源极电压 (VDS)**:700V
4. **栅源极电压 (VGS)**:±30V
5. **开启电压 (Vth)**:3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 210mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏极电流 (ID)**:20A
8. **技术类型**:SJ_Multi-EPI 技术
9. **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
10. **热阻**:典型值 1.0°C/W (结到壳)
11. **功率耗散**:150W
12. **开关速度**:具有良好的开关性能,适合高频应用
13. **封装尺寸**:TO247 封装,适合高功率散热和安装需求

### 三、应用领域和模块示例

1. **高压开关电源 (SMPS)**:IPW65R280E6-VB 在高压开关电源中表现出色,特别是在需要高电压处理的应用场景中。其高电压和中等导通电阻确保了电源的高效能和稳定性,适合用于工业电源、数据中心电源以及大功率电源适配器中。

2. **太阳能逆变器**:该 MOSFET 在太阳能光伏逆变器中的应用也很广泛。其高电压和适中的导通电阻,使其能够高效地处理光伏系统中的高电压和电流需求,提高了逆变器的总体效率,适合应用于大型太阳能发电场和商业光伏系统。

3. **电动汽车充电器**:IPW65R280E6-VB 在电动汽车充电器中的作用显著,其高电压承受能力和稳定的开关性能,使其能够处理充电过程中的高电压需求,提高充电效率,适用于快速充电器和高功率充电系统。

4. **高压 DC-DC 转换器**:在高压 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 提供了高效的电能转换和稳定性,适合用于电力电子系统,如通信基站电源和工业控制系统中的电压转换模块。其优良的开关性能有助于减少能量损耗和提高系统的可靠性。

5. **不间断电源 (UPS)**:IPW65R280E6-VB 可以在 UPS 系统中应用,处理高电压电源切换时的需求。其可靠的性能确保了在电力故障时的平稳切换,适用于工业、数据中心和家庭的 UPS 设备。

IPW65R280E6-VB 作为一款高电压、中电流的 MOSFET,适合用于高压开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压 DC-DC 转换器以及 UPS 系统等领域。其基于 SJ_Multi-EPI 技术的设计提供了优异的开关性能和稳定性,能够满足各种高功率密度和高效率的应用需求。

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