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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW60R125CP-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW60R125CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

IPW60R125CP-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,封装为 TO247,专为需要高功率和高效率的应用设计。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术,具有 650V 的高漏源电压 (VDS),可处理高达 47A 的漏极电流 (ID),并且在 VGS=10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 75mΩ。其栅源电压 (VGS) 范围为 ±30V,支持更宽范围的控制电压。这款 MOSFET 适合于多种高压开关电源转换器、逆变器和工业电源模块,能够提供低损耗和高效的开关性能,尤其适合于工业级和高压电源控制应用。

二、详细参数说明:
封装类型:TO247
沟道类型:单一 N 沟道
VDS(漏源电压):650V
VGS(栅源电压):±30V
Vth(阈值电压):3.5V
RDS(ON)(导通电阻):75mΩ @ VGS = 10V
ID(漏极电流):47A
技术:SJ_Multi-EPI 技术
Qg(总栅电荷):250 nC
热阻:Rth(j-c) = 0.42°C/W
导通延迟时间:80 ns
上升时间:100 ns
关断延迟时间:85 ns
下降时间:65 ns
工作温度范围:-55°C 至 150°C
Ptot(最大功耗):350W
三、适用领域和模块举例:
开关模式电源 (SMPS):IPW60R125CP-VB 非常适合用于开关模式电源中的高压转换部分。其 650V 的漏源电压使其能够在高压输入条件下高效工作,同时低导通电阻减少了能量损耗,提高了整个系统的转换效率。

光伏逆变器:在光伏系统的逆变器模块中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,特别适合高压太阳能电池板系统。它的高耐压和低功耗特性能够有效提高光伏系统的效率和稳定性。

电动汽车充电站:在电动汽车快速充电桩中,IPW60R125CP-VB 可以用于高压转换和电源管理模块,能够处理高电流和高电压输入,确保充电系统的高效和安全性。

工业电源和控制系统:该器件在工业自动化设备中的电源管理模块也表现出色,能够高效处理高电压电流的转换,并且其耐高温性能使其能够在恶劣的工业环境中保持稳定工作。

功率放大器:IPW60R125CP-VB 也适用于 RF 功率放大器等高功率应用,能够在高频、高压条件下稳定工作,确保信号传输过程中的低损耗和高效能量转换。

伺服电机驱动器:在高压伺服电机控制模块中,IPW60R125CP-VB 可以处理高功率要求,支持高效能量转换和精确的电机控制,适合用于精密工业控制和自动化生产系统。

总之,IPW60R125CP-VB 是在需要高压处理、高效率和低能耗的各种高功率应用中的理想选择,适用于电源转换、工业控制、电动汽车以及光伏发电等领域。

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