--- 产品参数 ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 500V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.8V
- RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IPW50R140CP-VB 产品简介
IPW50R140CP-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO247封装,设计用于处理高电流和高电压应用。它具有500V的击穿电压,并采用了超级结(Super Junction, SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,能够在高压环境下实现低导通电阻。这款MOSFET 尤其适合在高效能功率转换、工业电力模块及开关电源应用中提供可靠的电流控制和功率管理。
### 二、IPW50R140CP-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:500V
- **栅极驱动电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:40A
- **技术**:超级结(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
### 三、应用领域和模块
1. **工业电力系统**:IPW50R140CP-VB 适用于工业电力模块,如电机驱动系统和大型电力逆变器。其500V的击穿电压和40A的漏极电流能力可在高功率场景中有效控制大负载,确保系统的高效和可靠运行。
2. **开关电源(SMPS)**:该MOSFET 在开关电源设计中表现出色。它能够处理高电压输入,并在电源开关过程中保持低导通损耗和高效率,非常适合高功率的DC-DC转换器和AC-DC转换器。
3. **电池管理系统(BMS)**:在高压电池管理系统中,IPW50R140CP-VB 能够可靠地处理充电和放电过程的高电流和高电压,帮助提高电池系统的安全性和能效。
4. **光伏逆变器**:在光伏(PV)逆变器系统中,IPW50R140CP-VB 能够有效处理来自太阳能电池板的高电压输入,确保电能高效转换和逆变,同时保证系统的长期稳定性。
5. **不间断电源(UPS)**:在UPS系统中,这款MOSFET 提供了稳定的高压切换功能,能够在电力中断时提供高效的电源管理,使得UPS设备能够可靠地为关键设备提供持续电力。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12