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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPS50R520CP-VB一款TO251封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPS50R520CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO251
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 950mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品简介:**
IPS50R520CP-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装类型为TO251,采用先进的超结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,适合高压电源应用。它具有650V的漏源极电压(VDS),能够在较高电压条件下可靠工作。该器件的栅源极电压(VGS)范围为±30V,开启电压(Vth)为3.5V。尽管导通电阻(RDS(ON))为950mΩ(@VGS=10V),但其在5A的最大漏极电流下仍能提供稳定的性能。这款MOSFET 适用于高效能和高压系统,主要应用于需要可靠开关和电源控制的环境。

**详细参数说明:**
- **封装类型**:TO251
- **沟道类型**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:650V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **开启电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:950mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:5A
- **技术类型**:超结(SJ)+ 多重外延(Multi-EPI)技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **功率耗散 (PD)**:提升热管理性能
- **典型开关频率**:适用于高压开关应用

**应用领域与模块示例:**

1. **工业电源转换器**:IPS50R520CP-VB 的650V漏源极电压使其非常适合工业电源转换器中使用,如逆变器和DC-DC电源模块。在这些应用中,MOSFET 用于高压开关操作,提供高效能的功率转换。

2. **开关模式电源 (SMPS)**:在开关模式电源中,MOSFET 作为主要开关元件,通过其高开关频率特性和高压处理能力实现能量的高效转换。这有助于提高整体电源效率,适用于如计算机电源、通信设备电源等场景。

3. **照明系统**:在需要高压操作的照明系统(如LED照明驱动器和高压HID灯)中,IPS50R520CP-VB 能提供稳定的电压和电流控制,确保高效的能量利用和可靠性。

4. **家电控制系统**:该MOSFET 可用于高压家用电器的电源管理和控制模块中,特别是需要高压驱动的设备,如空调、冰箱等,能够有效提高系统的工作效率和稳定性。

5. **电动机控制与驱动**:在电动机控制应用中,尤其是工业和家用电动机驱动器,IPS50R520CP-VB 可以通过其高压开关特性,提供高效的电流驱动控制,确保电动机的平稳运行。

这些应用示例表明,IPS50R520CP-VB 在各种需要高压、高效和可靠性的领域中都能够发挥重要作用,特别是工业和高压电源管理模块中。

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