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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPP60R520C6-VB一款TO220封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPP60R520C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IPP60R520C6-VB 产品简介

IPP60R520C6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,封装为TO220,主要适用于高压应用场景。其VDS额定电压为650V,能够承受较高的电压应力,同时具备30V的VGS最大电压,具有很强的耐用性和可靠性。该MOSFET采用了先进的超级结(Super Junction)多层外延(SJ_Multi-EPI)技术,优化了导通电阻和开关速度之间的平衡,使其特别适合高效能的功率转换电路设计。

### 二、详细参数说明

- **封装**:TO220
- **类型**:单N沟道
- **VDS** (漏源电压):650V
- **VGS** (栅源电压):±30V
- **Vth** (阈值电压):3.5V
- **RDS(ON)** (导通电阻):500mΩ@VGS=10V
- **ID** (漏极电流):9A
- **技术**:超级结 (SJ_Multi-EPI) 技术
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C

该产品的主要特性包括低导通电阻和高击穿电压,能够在严苛的条件下保持稳定工作。

### 三、应用领域及模块举例

IPP60R520C6-VB 主要应用于以下领域和模块:

1. **开关电源(SMPS)**:
  - 在高效开关模式电源(如AC-DC和DC-DC转换器)中,该MOSFET的高耐压特性和低导通电阻使其能够在高压条件下有效转换电能,降低能量损耗。

2. **电机驱动控制**:
  - 用于高压电机控制的驱动电路。IPP60R520C6-VB 的快速开关特性和高耐压能力能够有效管理电机的驱动功率,特别适合于工业电机驱动和家电中常见的直流无刷电机。

3. **光伏逆变器**:
  - 在太阳能光伏逆变器中,该MOSFET可用于高压侧的开关设备,帮助将太阳能电池板生成的直流电高效转换为交流电。

4. **不间断电源(UPS)**:
  - 该器件可用于UPS系统的高压电池管理模块和逆变模块,通过其高电压和低导通损耗特性,确保能量传输的高效性和可靠性。

IPP60R520C6-VB 的优异电气特性和坚固的物理设计使其能够在高效、高压的应用场景中发挥出色的性能,如电源转换设备、电机驱动、光伏系统和电力管理等模块。

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