--- 产品参数 ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 220mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IPP50R299CP-VB 产品简介
IPP50R299CP-VB 是一款采用 Super Junction(SJ)多重外延 (Multi-EPI) 技术的单N沟道MOSFET,专为高压和高效能应用而设计。该器件的漏源电压高达 650V,能够承受 15A 的漏极电流,具备220mΩ 的低导通电阻(VGS = 10V)。其高击穿电压和低导通损耗使其特别适合需要高效率、低损耗的功率转换应用,如开关电源和电力转换设备。该器件采用 TO220 封装,阈值电压为 3.5V,具有良好的开关性能和热稳定性。
### 二、IPP50R299CP-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **极性**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 220mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Super Junction(SJ)Multi-EPI 技术
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **开关速度**: 高速开关,适用于高频应用
- **最大浪涌电流**: 60A(单脉冲)
### 三、应用领域及模块举例
1. **开关电源 (SMPS)**
IPP50R299CP-VB 的 650V 高电压和 Super Junction 技术使其成为开关电源应用的理想选择,尤其是在工业和消费电子设备中。该器件能够减少功率损耗,提高转换效率,在高压转换器和功率因数校正 (PFC) 电路中表现尤为出色。
2. **太阳能逆变器**
在太阳能逆变器中,IPP50R299CP-VB 能够有效处理高电压并提供稳定的功率转换,确保太阳能系统将直流电能高效转换为交流电。其低导通电阻和高速开关特性使其适用于要求高效能的光伏发电系统。
3. **电动汽车充电站**
由于其高电压能力和低导通损耗,IPP50R299CP-VB 是电动汽车充电站中功率转换和控制模块的关键元件。该器件能够在电动汽车充电系统中提供高效、稳定的能量传输,并减少充电时的能量损耗。
4. **不间断电源 (UPS) 系统**
在 UPS 系统中,该 MOSFET 提供了高电压和高效率的功率转换能力,能够快速响应电力中断并提供可靠的电力输出,确保系统的稳定性和可靠性。
5. **工业电机驱动**
在工业环境中的电机驱动应用中,IPP50R299CP-VB 能够处理高电压并提供稳定的电流控制,确保电机的高效运行。这使其成为高压电机控制系统中的理想元件,特别是在需要高精度和高效能的场景中。
IPP50R299CP-VB 在多个高压、高效能的应用领域中表现出色,是各种高电压功率电子设备中不可或缺的组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12