--- 产品参数 ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IPD90N06S3L-05-VB 产品简介:
IPD90N06S3L-05-VB 是一款TO252封装的单N沟道功率MOSFET,专为高效能功率转换和开关应用而设计。该MOSFET具备最大60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),其开启阈值电压为3V。凭借Trench技术的优势,IPD90N06S3L-05-VB 的导通电阻非常低,在VGS为10V时,导通电阻为4.5mΩ,适合处理高达97A的大电流。这一特性使其在电源管理和高效开关应用中具有出色表现,特别适合用于降低导通损耗,提高整体系统效率。
### 二、IPD90N06S3L-05-VB 详细参数说明:
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:97A
- **技术类型**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗**:依赖具体散热条件
- **典型应用**:电源管理、高效开关电路、直流电机驱动、负载开关等。
### 三、应用领域和模块举例:
1. **电源管理**:
IPD90N06S3L-05-VB 的高电流处理能力与低导通电阻使其特别适合用于高效率的电源管理系统。它能够在DC-DC转换器和AC-DC电源中有效降低功耗,优化电源转换效率,尤其是在高负载工作条件下表现卓越。
2. **负载开关**:
由于其4.5mΩ的低导通电阻,IPD90N06S3L-05-VB 在高电流负载开关应用中表现出色,适用于需要高效切换电流负载的模块,如电池管理系统和功率分配网络,提供快速响应和稳定的开关性能。
3. **直流电机驱动**:
在高电流直流电机驱动应用中,IPD90N06S3L-05-VB 能够处理高达97A的电流,确保电机在启动和运行时的稳定性能,同时降低系统功耗。这使其成为电动工具、工业自动化系统和电动车辆中直流电机控制的理想选择。
4. **高效开关电路**:
IPD90N06S3L-05-VB 的低导通电阻和高电流能力在高效开关电路中极为适用,特别是在需要快速开关和高电流处理的场景中,如开关电源(SMPS)和逆变器,显著提高系统的整体效率。
IPD90N06S3L-05-VB 的特性使其能够应对高电流和高效率需求,广泛应用于电源管理、负载开关和电机驱动等领域。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12