--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 P—Channel
- 电压 -30V
- 电流 -11A
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth -1.42V
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi P-沟道MOSFET AF4407PSLA-VB 具有-30V的电压额定值,-11A的电流承受能力,以及在VGS=10V和VGS=20V时的低RDS(ON)为10mΩ。该器件采用SOP8封装,印有标识符VBA2311。
**关键规格:**
- 电压额定值:-30V
- 电流承受能力:-11A
- RDS(ON):在VGS=10V和VGS=20V时为10mΩ
- 阈值电压(Vth):-1.42V
**封装:**
- SOP8
**应用领域:**
1. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器,可有效管理负载,实现高效的能量转换。
2. **电源开关模块:** 在电源开关模块中可用于可靠的电源开关控制。
3. **电池保护电路:** 用于设计电池保护电路,确保电池安全运行。
4. **汽车电子系统:** 具备负载驱动能力,可应用于汽车电子系统中的电源管理和控制。
**注意:** 为了获得最佳性能,请确保兼容性并遵循数据手册中的推荐工作条件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12