企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

BUK761R8-30C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管

型号: BUK761R8-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2.3mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### BUK761R8-30C-VB MOSFET 产品简介

BUK761R8-30C-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,封装类型为 TO263。该 MOSFET 采用了 Trench 技术,具有最大漏极-源极电压(VDS)为 30V 和最大栅极-源极电压(VGS)为 ±20V。其阈值电压(Vth)为 1.7V。在栅源电压为 4.5V 时,其导通电阻(RDS(ON))为 3.2mΩ,而在栅源电压为 10V 时,RDS(ON) 降至 2.3mΩ。BUK761R8-30C-VB 能够承载最高 150A 的连续漏极电流(ID)。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench

### 应用领域示例

1. **高效电源开关**:
  - BUK761R8-30C-VB 的低导通电阻和高电流能力使其在高效电源开关应用中表现出色。它适用于开关电源模块,能够高效地处理电源开关,减少功率损耗,提高电源系统的整体效率。

2. **电动汽车 (EV) 电池管理**:
  - 在电动汽车的电池管理系统中,BUK761R8-30C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻非常适合用作电池开关元件。它能够确保电池的高效管理和电动汽车系统的稳定运行。

3. **工业电机驱动**:
  - 对于高电流电机驱动系统,BUK761R8-30C-VB 是一个理想的选择。它可以在电机控制器中用作开关,确保电机的高效控制和稳定运行,适用于需要大电流和低电阻的电机驱动应用。

4. **高功率负载开关**:
  - 在高功率负载开关应用中,BUK761R8-30C-VB 的高电流承载能力(150A)和低导通电阻使其能够高效控制大电流负载。它可以确保负载的可靠开关和稳定运行,适用于各种高功率开关需求。

5. **逆变器**:
  - 在逆变器应用中,特别是用于太阳能和风能系统的逆变器,BUK761R8-30C-VB 能够高效地处理高电流,提升直流到交流的转换效率。其低导通电阻有助于提高逆变器的整体性能和稳定性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    713浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    593浏览量