--- 产品参数 ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 150A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK761R7-40E-VB MOSFET 产品简介
BUK761R7-40E-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 封装,专为中压和高电流应用设计。该 MOSFET 具有 40V 的漏源电压(V_DS)和 ±20V 的栅源电压(V_GS)。其阈值电压(V_th)为 3V,开态电阻(R_DS(ON))为 2.5 mΩ(在 V_GS 为 4.5V 时)和 2 mΩ(在 V_GS 为 10V 时),能够承受高达 150A 的连续漏电流(I_D)。BUK761R7-40E-VB 采用沟槽(Trench)技术,提供卓越的开关性能和极低的开态电阻,适用于各种高电流和高效率的应用场景。
### 详细参数说明
1. **封装**:TO-263
- 具有优异的散热性能和紧凑的封装设计,适合高功率和高密度电路应用。
2. **配置**:单个 N 沟道
- 适用于高效开关控制,特别是在需要高电流和低电阻的应用中。
3. **V_DS(漏源电压)**:40V
- 适用于中压应用,能够处理较高的电压需求。
4. **V_GS(栅源电压)**:±20V
- 提供灵活的栅极驱动电压,适应不同的控制电压需求。
5. **V_th(阈值电压)**:3V
- 在此电压下,MOSFET 开始导通,确保在低电压下的稳定操作。
6. **R_DS(ON)(开态电阻)**:2.5 mΩ @ V_GS = 4.5V,2 mΩ @ V_GS = 10V
- 极低的开态电阻减少了功耗,提高了电路的整体效率。
7. **I_D(连续漏电流)**:150A
- 高电流处理能力,适用于需要大电流的应用场合。
8. **技术**:沟槽型(Trench)
- 提供卓越的开关性能和低导通电阻,适合各种高电流应用。
### 应用实例
**1. 电源管理:**
- **领域**:高效开关电源(SMPS)
- **实例**:在高效开关电源系统中,BUK761R7-40E-VB 能够处理高电流输出的电源模块。其低开态电阻和高电流承载能力使其在电源管理中表现出色,提升电源的稳定性和效率,特别适用于高功率密度的电源应用。
**2. 电动汽车:**
- **领域**:电池管理系统
- **实例**:在电动汽车的电池管理系统中,BUK761R7-40E-VB 可用于高侧开关控制,以保护电池免受过流和过电压的影响。其高电流处理能力和低开态电阻确保电池系统的安全和稳定运行,提高了电池管理的整体可靠性。
**3. 电机驱动:**
- **领域**:工业自动化
- **实例**:在电机驱动电路中,BUK761R7-40E-VB 能够提供高效的开关控制,特别是在高电流的电机负载应用中。其高电流承载能力保证了电机的平稳运行,适合工业自动化中的高功率电机控制。
**4. 高功率LED驱动:**
- **领域**:照明系统
- **实例**:在高功率 LED 驱动电路中,BUK761R7-40E-VB 能够高效驱动 LED 模块。由于其低开态电阻,能够降低功耗并确保 LED 的稳定亮度,适合用于需要高功率输出的 LED 照明系统。
**5. 汽车电子:**
- **领域**:汽车电源系统
- **实例**:在汽车电子系统中,BUK761R7-40E-VB 可用于电池管理和电机控制。其高电流处理能力和低开态电阻确保了汽车系统的高效和稳定运行,特别适用于高电流和高功率的汽车应用。
总之,BUK761R7-40E-VB MOSFET 是一款中压、高电流处理能力的开关器件,广泛适用于各种高功率和高效率要求的电子应用。其卓越的开关性能和低导通电阻使其在多个领域中都能发挥重要作用。
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