--- 产品参数 ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
- ID 260A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK761R3-30E-VB MOSFET 产品简介
BUK761R3-30E-VB 是一款高性能单 N 通道功率 MOSFET,采用 TO263 封装,设计用于处理高电流和高效率的应用。该 MOSFET 的 VDS(漏源电压)为 30V,VGS(栅源电压)范围为 ±20V,适合在中等电压条件下稳定工作。其阈值电压(Vth)为 1.7V,确保在较低的栅电压下也能可靠导通。BUK761R3-30E-VB 的 RDS(ON) 为 1.6mΩ @ VGS=4.5V 和 1.4mΩ @ VGS=10V,支持最大连续漏电流(ID)为 260A。该器件采用 Trench 技术,提供极低的导通电阻和优良的开关性能,适合用于高功率和高效能要求的应用。
### 详细参数说明
1. **封装:** TO263
2. **配置:** 单N通道
3. **VDS(漏源电压):** 30V
4. **VGS(栅源电压):** ±20V
5. **Vth(阈值电压):** 1.7V
6. **RDS(ON)(导通电阻):**
- 1.6mΩ @ VGS=4.5V
- 1.4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(连续漏电流):** 260A
8. **技术:** Trench
### 应用领域和使用场景
BUK761R3-30E-VB MOSFET 由于其超低导通电阻和高电流处理能力,适合用于多个领域和模块:
1. **高功率开关电源:** 适用于开关模式电源(SMPS)和电源适配器中,提供高效的电源转换和低功率损耗,适合用于计算机电源和工业电源系统。
2. **电动汽车:** 在电动汽车驱动系统中,BUK761R3-30E-VB 可用于电动机控制和电池管理,处理高电流并提高电动汽车的整体性能。
3. **电机驱动:** 适用于工业自动化和家电中的电机控制,支持高电流电机的精确控制和调节,确保电机高效运行。
4. **电池保护:** 在电池管理系统中,用于保护电池组,管理高电流充放电,提升电池使用寿命和安全性。
5. **DC-DC 转换器:** 在各种高功率 DC-DC 转换器中,提供稳定的电压转换,适合于高效能电源解决方案。
6. **负载开关:** 在高电流负载开关应用中,提供可靠的开关性能,适用于工业设备和高功率电子设备。
这些示例展示了 BUK761R3-30E-VB MOSFET 的广泛应用和高效性能,使其在各种高电流、高效率应用中成为理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12