--- 产品参数 ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
BUK752R7-30B-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效、高功率开关的应用。BUK752R7-30B-VB 以其优异的性能和可靠性,成为多种高功率电子电路的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK752R7-30B-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效开关电源**:由于其极低的导通电阻和高电流处理能力,BUK752R7-30B-VB 非常适合用于开关电源 (SMPS)。它可以显著提高电源的转换效率,减少功耗,适用于大功率电源应用,如计算机电源和电信电源。
2. **电机驱动系统**:这款 MOSFET 能够处理高达 120A 的电流,非常适合用于电机驱动模块,例如工业自动化设备和电动工具。它能提供稳定且高效的电流控制,确保系统的性能和可靠性。
3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,BUK752R7-30B-VB 的低导通电阻优化了电池的充放电过程,提高系统的整体效率和可靠性,特别适用于电动汽车和储能系统。
4. **光伏逆变器**:该 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其适用于光伏逆变器的开关部分,能够提高光伏系统的整体效率和稳定性。
5. **高功率开关应用**:凭借其卓越的开关性能,BUK752R7-30B-VB 适用于各种高功率开关应用,如大功率 DC-DC 转换器和高频开关设备。它能够减少功耗并提升系统性能,广泛应用于工业和消费电子领域。
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