--- 产品参数 ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 11mΩ@VGS=10V
- ID 60A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK7514-55-VB 产品简介
BUK7514-55-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,设计用于高电流和低导通电阻的应用。该MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),以及1.7V的阈值电压(Vth)。它采用先进的沟槽(Trench)技术,提供非常低的导通电阻:在VGS为4.5V时为13mΩ,在VGS为10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为60A。BUK7514-55-VB特别适用于要求高电流处理能力和高效率的电源管理和开关应用,为各种高负载应用提供了卓越的性能和可靠性。
### BUK7514-55-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO220 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 13 (VGS=4.5V) | mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 11 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 60 | A |
| 技术 | 沟槽(Trench) | |
### BUK7514-55-VB 适用领域和模块
1. **高效电源开关(High-Efficiency Power Switching)**:
BUK7514-55-VB在高效电源开关应用中表现出色,特别适用于需要处理高电流和高负载的场合。其低导通电阻(11mΩ至13mΩ)和高电流能力(60A)能够有效减少功率损耗,提高电源系统的效率,并确保系统的稳定运行。
2. **电机驱动(Motor Drives)**:
在电机驱动应用中,该MOSFET能够处理高电流负载,适用于直流电机和无刷电机(BLDC)的驱动。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机的高效控制和稳定运行,适合用于要求较高的电机驱动系统。
3. **DC-DC转换器(DC-DC Converters)**:
BUK7514-55-VB在DC-DC转换器中表现优异,适合用于高电流和高效转换的应用。其低导通电阻有助于提高转换器的效率,减少功率损耗,增强系统的整体性能和稳定性。
4. **电池管理系统(Battery Management Systems)**:
在电池管理系统中,该MOSFET能够有效控制高电流负载,适用于电池保护和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提高电池的使用寿命和系统的可靠性。
5. **工业电源(Industrial Power Supplies)**:
该MOSFET适用于各种工业电源应用,特别是在需要高电流和高效开关的场合。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效处理高功率需求,确保系统的稳定性和可靠性。
BUK7514-55-VB以其高电流处理能力和低导通电阻,适用于各种电子应用中需要高效和稳定性能的场合,为电源管理、电机驱动和高效开关应用提供了可靠的解决方案。
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