--- 产品参数 ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK7275-100A-VB 产品简介
**产品名称**: BUK7275-100A-VB
**封装**: TO-252
**配置**: 单极N沟MOSFET
BUK7275-100A-VB是一款高性能的N沟MOSFET,专为高电压和中等电流应用设计。该MOSFET采用TO-252封装,利用先进的Trench技术,提供优秀的导通电阻和电流处理能力,非常适合高效能和高可靠性的电子电路。
### 详细参数说明
- **V_DS(漏源电压)**: 100V
MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。
- **V_GS(栅源电压)**: ±20V
MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。
- **V_th(栅极阈值电压)**: 1.8V
使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。
- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
- 35mΩ @ V_GS = 4.5V
- 30mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值表明更高的开关效率和更低的功率损耗。
- **I_D(连续漏极电流)**: 40A
MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。
- **技术**: Trench
采用Trench技术,提供低导通电阻和高效性能。
### 应用领域
BUK7275-100A-VB MOSFET适用于多种高电压和中等电流的应用场景:
1. **电源管理**:
- **高电压电源开关**: 适用于高电压开关应用,如高效开关电源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以显著减少功率损耗,提高系统效率。
- **DC-DC转换器**: 在高压DC-DC转换器中提供高效的电力转换和调节,特别适用于需要处理中等电流的应用。
2. **电机控制**:
- **电动机驱动**: 在电动机驱动系统中,如工业电机驱动,能够处理高达40A的电流,提供高效、可靠的开关性能。
- **伺服电机**: 在精密伺服电机控制系统中,如机器人和自动化设备,确保稳定的中等电流控制。
3. **汽车应用**:
- **电力分配系统**: 在汽车电力分配系统中处理高电压负载,确保电力系统的可靠性和高效性。
- **电池管理系统(BMS)**: 在混合动力和电动汽车中提升电池管理系统性能,优化中等电流处理能力。
4. **消费电子**:
- **电源供应单元(PSU)**: 适用于高电压消费电子产品中的电源供应单元,如高性能计算机和音响系统,提供高效的电源管理。
- **充电解决方案**: 在高电压充电应用中,如快速充电系统和高功率充电器,确保高效、可靠的充电过程。
BUK7275-100A-VB以其适中的导通电阻和电流处理能力,适用于各种高电压和中等电流的应用需求,确保系统的高效性和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12