--- 产品参数 ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3.3V
- RDS(ON) 1.7mΩ@VGS=10V
- ID 150A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、BUK6E3R4-40C-VB产品简介
BUK6E3R4-40C-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO262,采用先进的Trench技术。这款MOSFET专为高电流和高效能应用设计,具有40V的耐压和20V的门极源极电压最大值。其阈值电压为3.3V,导通电阻在10V栅极驱动下为1.7mΩ,能够承受最大150A的漏极电流。BUK6E3R4-40C-VB凭借其极低的导通电阻和高电流处理能力,是高效能开关和功率管理应用的理想选择。
### 二、BUK6E3R4-40C-VB详细参数说明
- **型号**:BUK6E3R4-40C-VB
- **封装**:TO262
- **配置**:单N沟道
- **耐压VDS**:40V
- **门极源极电压VGS**:20V(±)
- **阈值电压Vth**:3.3V
- **导通电阻RDS(ON)**:1.7mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流ID**:150A
- **技术**:Trench
### 三、应用领域和模块示例
BUK6E3R4-40C-VB在多个领域和模块中表现出色,适用于以下应用:
1. **高效电源开关**:BUK6E3R4-40C-VB由于其极低的导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于高效能电源开关,如DC-DC转换器和高效开关电源。其低导通电阻能够显著减少功率损耗,提高整体电源管理效率。
2. **电动汽车**:在电动汽车中,BUK6E3R4-40C-VB可以用于电动机驱动系统和电池管理系统。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电动汽车在高负载和高功率情况下的稳定运行。
3. **工业电机控制**:在工业自动化和控制系统中,BUK6E3R4-40C-VB能够有效控制高功率电机的启停和运行。其高电流处理能力和低导通电阻使其适合用于各种工业电机控制应用。
4. **功率管理系统**:BUK6E3R4-40C-VB非常适合用于高功率功率管理系统,如高功率电源分配和电池保护系统。其高电流能力和低导通电阻能够提供可靠的开关功能,确保系统的高效运行和稳定性。
这些应用展示了BUK6E3R4-40C-VB在高电流和高效能开关应用中的广泛适用性,使其成为各种高效能电子设备和控制系统的理想选择。
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