--- 产品参数 ---
- 型号 ID5S609
--- 产品详情 ---
芯朋微高压高低侧栅极电机驱动芯片- IS5S609
一、概述
ID5S609电机驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力,输入端具有有效电平逻辑互锁功能,能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
二、特征
高侧浮动偏移电压600V
高侧浮动偏移电压600V输入信号兼容3.3V和5Vj逻辑电平
输入信号兼容3.3V和5主播逻辑电平dV/dt抗干扰能力+50V/nsec
DV/DT抗干扰能力+50V/纳秒自举工作的浮地通道
自举工作的浮地通道芯片工作电压范围10V~20V
芯片工作电压范围10V~20V高低侧均具有欠压保护功能
高低侧均具有欠压保护功能输出拉灌电流能力400mA/800mA
输出拉灌电流能力400mA/800mA高低侧通道均延时匹配
高低侧通道均延时匹配死区时间典型值为I80ns
死区时间典型值为I80ns
三、应用领域
中小型功率电机驱动
功率MOSFET或IGBT驱动
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
任意互补驱动转换器
四、封装订购信息

五、典型电路

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