--- 产品参数 ---
- 型号 ID5S609
--- 产品详情 ---
芯朋微高压高低侧栅极电机驱动芯片- IS5S609
一、概述
ID5S609电机驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力,输入端具有有效电平逻辑互锁功能,能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
二、特征
高侧浮动偏移电压600V
高侧浮动偏移电压600V输入信号兼容3.3V和5Vj逻辑电平
输入信号兼容3.3V和5主播逻辑电平dV/dt抗干扰能力+50V/nsec
DV/DT抗干扰能力+50V/纳秒自举工作的浮地通道
自举工作的浮地通道芯片工作电压范围10V~20V
芯片工作电压范围10V~20V高低侧均具有欠压保护功能
高低侧均具有欠压保护功能输出拉灌电流能力400mA/800mA
输出拉灌电流能力400mA/800mA高低侧通道均延时匹配
高低侧通道均延时匹配死区时间典型值为I80ns
死区时间典型值为I80ns
三、应用领域
中小型功率电机驱动
功率MOSFET或IGBT驱动
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
任意互补驱动转换器
四、封装订购信息

五、典型电路

电机驱动芯片方案应用资料及参考手册请咨询芯朋微代理商东莞市中铭电子,专业的FAE提供技术支持服务
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