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中科微电半导体
中科微电半导体科技(深圳)有限公司是一家专业功率器件研发和销售的科技型公司,在台湾设有研发中心、深圳设有工程团队和销售团队
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中科微电 ZK30G160G
型号:
ZK30G160G
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--- 产品参数 ---
N/P
N
Vdss
30V
ID
178A
Vga
±20A
Rds-on (mΩ
1.3mΩ
--- 数据手册 ---
ZK30G160Q.pdf
--- 产品详情 ---
详情请参考规格书
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中科微电ZK30N100G
2025-10-17 10:46
产品型号:ZK30N100G
V DSS:30
V GS (th)_:1.5
典型导通电阻:3.8
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中科微电ZK30N100T
2025-10-17 10:28
产品型号:ZK30N100T
耐压:280V
输入逻辑兼容:5V、3.3V
封装:SOP8
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中科微电ZK2131
2025-10-17 10:10
产品型号:ZK2131
耐压:280V
输入逻辑兼容:5V/3.3V
封装:SOP8
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中科微电MOS管ZK30N100G 30V 90A
2025-10-15 17:55
产品型号:ZK30N100G
BVdss:30V
ID:90A
Typ:3.4
Vgs:±20
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中科微电ZK30N140T 30V 140A
2025-10-15 17:45
产品型号:ZK30N140T
BVdss:30V
ID:140A
Vgs:±20
Typ:1.64
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中科微电mos管ZK60N20DG
2025-09-30 11:20
产品型号:ZK60N20DG
BVdss:60V
ID:20A
Vgs:±20
Typ:27
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中科微电mos管ZK30N100Q
2025-09-30 11:13
产品型号:ZK30N100Q
BVdss:30V
ID:90A
Vgs:±20
Typ:3.6
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中科微电MOS管ZK60N20DS
2025-09-30 10:59
产品型号:ZK60N20DS
BVdss:60V
ID:20A
Vgs:±20
Typ:29
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中科微电ZK60G270G CLIP SGT车规级
2025-09-25 09:30
产品型号:ZK60G270G
封装:PDFN5x6
批次:2025+
BVDSS:60V
Id:270A
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中科微电ZK100G325TL
2025-09-22 14:17
产品型号:ZK100G325TL
BVdss:100
ID:411
Vgs:±20
电阻:0.98
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MOSFET:电子世界的“开关大师”与技术演进
2025-11-27 15:48
在现代电子设备的核心部件中,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)无疑是当之无愧的“开关大师”。从智能手机的芯片到新能源汽车的动力控制系统,从光伏逆变器到工业机器人,MOSFET以其高效的开关特性和稳定的控制性能,支撑着整个电子信息产业的运转。对于电子工程相关专业的学生和行业从业者而言,深入理解MOSFET的技术本质、发展脉络与应用逻辑,既是夯实专
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ZK3080T:低压大电流场景下的功率器件标杆
2025-11-25 14:38
在功率电子技术飞速发展的今天,元器件的性能直接决定了电子设备的可靠性、效率与安全性。ZK3080T作为一款在低压大电流领域表现突出的功率器件,其“30V/80A”的核心参数组合、TO-252封装设计以及±20%的参数精度控制,使其成为消费电子、汽车电子、工业控制等领域的优选元器件。深入剖析ZK3080T的技术特性、应用价值与使用要点,对于电子工程师优化电路设
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2025-11-17 11:19
在功率半导体器件向“高效化、小型化、高可靠性”转型的趋势下,中科微电推出的N沟道MOS管ZK40N100G,凭借40V耐压、90A大电流的硬核参数,搭配Trench(沟槽)工艺与PDFN5x6-8L紧凑封装,精准破解中低压场景下“大电流承载、低能耗、小体积”的核心痛点,成为消费电子、工业控制、汽车电子等领域的优选解决方案。本文将从参数解析、技术优势、场景落地
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在布满精密元件的电路板上,功率器件就像“能量调度官”,负责电能的高效传输与精准控制。ZK100G120B这款标注着“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件,没有华丽的外观,却以扎实的参数配置和可靠的性能表现,在中低压功率场景中占据重要地位。当我们深入解读它的各项参数密码,便能发现它成为众多工程师首选的核心原因。
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中科微电推出的ZK40P80G P沟道MOS管,突破性地将-80A大电流、-40V高耐压与PDFN5x6-8L紧凑封装相结合,搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工艺,为小型化、高功率密度设备提供了理想的功率解决方案。
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中科微电深耕功率器件领域,针对P沟道器件的应用痛点,推出了ZK40P80T这款高性能P沟道MOS管,以-40V耐压、-80A电流的强劲参数,搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工艺,为反向电压控制、电池管理等场景提供了高效可靠的解决方案,重新定义了中低压P沟道MOS管的性能标准。
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中科微电ZK150G002P:高耐压大电流N沟槽MOS管的性能突破
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在功率半导体器件的迭代浪潮中,N沟槽MOS管凭借其优异的开关特性与电流控制能力,成为高功率电子系统的核心组成部分。当市场对器件的耐压等级、电流承载能力提出更高要求时,一款兼具150V高耐压、200A大电流与3.5毫欧低导通电阻的N沟槽MOS管——ZK150G002P应运而生。它不仅精准契合了新能源、工业控制等领域的严苛需求,更以硬核参数彰显了功率半导体技术的
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ZK40N100G:PDFN封装赋能的中低压大电流MOS管标杆
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在中低压功率电子系统的设计中,MOS管的电流承载能力、封装尺寸与能效表现,是决定产品竞争力的核心要素。ZK40N100G作为一款高性能N沟道MOS管,以40V耐压、90A大电流、PDFN5x6-8L紧凑封装及Trench工艺加持,精准适配消费电子、新能源、工业控制等领域的大功率需求,成为兼顾“强性能、小体积、高效率”的优选器件,为电路设计突破空间与能效瓶颈提
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