--- 产品参数 ---
- 工作温度 -55°C至+125°C
- 电压噪声 3 nV/√Hz
- 电流噪声 3 pA/√Hz
- 小信号带宽 115 MHz
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
特点
- 低噪声
- 电压噪声:3 nV/√Hz
- 电流噪声:3 pA/√Hz
- 小信号带宽:115 MHz
- 大信号带宽:2 V 峰峰值时为 80 MHz
- 压摆率:550 V/μs(2 V 峰峰值)
- 增益范围(指定)
- -14 dB 至 +46 dB
- 0 dB 至 60 dB
- 增益缩放:50 dB/V
- 直流耦合
- 单端输入和输出
- 电源:±3V 至 ±12V
- 工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
- 功耗
- 3V 供电,-55℃ < T < +125℃时为 150 mW
- ±3V 供电,PWRA = 3V 时为 84 mW
应用
- 工业过程控制
- 高功率自动增益控制(AGC)系统
- 同相 / 正交(I/Q)信号处理
- 视频
- 工业和医学超声
- 雷达接收器
总体说明
AD8336 是一款低噪声、单端、线性分贝(dB)的通用可变增益放大器,采用单电源供电。它具有无与伦比的性能,增益范围为 6 dB 至 26 dB。VGA 增益范围为 0 dB 至 60 dB,带有绝对值增益限制。-26 dB 至 +34 dB 的前置放大器增益与 12 dB、100 MHz 的组合 3 dB 带宽的主放大器相匹配,主放大器可在高达 80 MHz 的频率下正常工作。使用 ±5 V 电源时,最大输出摆幅为 7 V 峰峰值。
由于采用了 X-AMP 架构,在整个 VGA 增益控制范围内都能保持频率响应。独特的增益控制接口在 - 55℃至 + 125℃的温度范围内提供精确的 dB 增益缩放,比例为 50 dB/V,便于与各种外部源连接。
AD8336 的宽电源电压范围使其非常适合工业和医学应用以及视频电路。双电源工作模式允许双极性输入信号,例如由光电二极管或光电倍增管产生的信号。
全独立的电压反馈前置放大器支持反相和同相增益拓扑结构。通过选择合适的反馈电阻,AD8336 可在 - 14 dB 至 + 60 dB 的指定增益范围内使用。对于标称前置放大器增益为 4 倍,总增益范围为 - 14 dB 至 + 46 dB。
通过置位 PWRA 引脚,可将备用电源限制在安全水平。
更多型号可咨询
AD8330ACPZ
AD8330ARQZ
AD8331ARQZ
AD8332ARUZ
AD8333ACPZ
AD8334ACPZ
AD8336ACPZ
AD8337BCPZ
AD8338ACPZ
为你推荐
-
MSS4-Q-T/R——4P3T(四极三掷)、卧式贴片微型滑动开关2026-04-23 16:35
产品型号:MSS4-Q-T/R 触点形式:4P3T (4 极 3 掷、OnOnOn) 额定电流 / 电压:25mA @ 24VDC 接触电阻:≤100mΩ 绝缘电阻:≥100MΩ @ 500VDC -
16TQC10M为10uF ±20% 16V 3528钽电容2026-04-23 16:33
产品型号:16TQC10M 额定电压:16 VDC 静电容量:10 µF 额定纹波电流:800 mA rms ESR(最大):100 mΩ -
BLM15EG121SN1D 是村田0402 封装 (1005)、GHz 频段通用型片式铁氧体磁珠2026-04-23 16:31
产品型号:BLM15EG121SN1D 阻抗 @100MHz:120Ω ±25% 额定电流:1.5A (85℃);0.9A (125℃) 最大直流电阻 (DC:95mΩ 阻抗最小值 @100:100Ω -
SMPI0420T-1R0M一体成型金属粉芯屏蔽型贴片功率电感2026-04-23 16:29
产品型号:SMPI0420T-1R0M 电感值 L:1.0 μH 直流电阻 DCR:25 mΩ 饱和电流 Isat:7.0 A 温升电流 Irms:5.0 A -
HPI0402-1R0M是SMD4*4封装的金属粉芯模压型贴片功率电感2026-04-23 16:27
产品型号:HPI0402-1R0M 电感值 L:1.0 μH 直流电阻 DCR:16.4 mΩ 饱和电流 Isat:9.0 A 温升电流 Irms:6.5 A -
CM8V-T1A 32.768KHZ 12.5PF+/-20PPM-TA-QC2012 封装2012超薄 32.768kHz 音叉石英晶体2026-04-23 16:25
产品型号:CM8V-T1A 32.768KHZ 12.5PF+/-20 标称频率:32.768 kHz 频率精度:±20 ppm 负载电容:12.5 pF 封装尺寸:2.0×1.2×0.35 mm(max) -
MCG30P03-TP是DFN3333 封装的 P 沟道增强型功率 MOSFET2026-04-21 14:28
产品型号:MCG30P03-TP 沟道类型:P 沟道增强型 漏源击穿电压:(V<sub>(BR)DSS</sub>):-30V 连续漏极电流:(I<sub>D</sub>):-19A @ TC=25° 脉冲漏极电流: (I<sub>DM</sub>):-76A 封装形式:DFN3333 (3x3x0.9mm) -
NCV8402ASTT1G/3G是车规级、自保护 N 沟道低压侧智能功率开关2026-04-21 14:25
产品型号:NCV8402ASTT1G/3G 类型:N 沟道、自保护、低压侧(Low-Side)功率开关 耐压:VDS(BR) = 42V(漏源击穿电压) 电流:连续漏电流 ID = 2A(内置限流) 导通电阻:RDS (on) = 165mΩ(最大值,25°C) 封装:SOT-223-4 (TO-261-4),4 引脚表面贴装 -
MAX232DR是封装为SOIC-16的双驱动器/接收器2026-04-21 14:19
产品型号:MAX232DR 类型:双路 RS-232 驱动器 / 接收器 供电:单 5V(4.5–5.5V) 通道:2 驱动器 + 2 接收器 速率:最高 120kbps 温度范围:0°C ~ 70°C -
PIC32MX795F512L-80I/PT TQFP-100 32位闪存微控制器IC2026-04-21 14:15
产品型号: PIC32MX795F512L-80I/PT 主频:80 MHz (105 DMIPS) 工作电压:2.3V ~ 3.6V (典型 3.3V) 温度等级:工业级 -40°C ~ 85°C (后缀 I) Flash 程序存储:512 KB (外加 12 KB 引导 Flash)