FDS4435BZ
P 沟道 PowerTrench® MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）
-30V，-8.8A，20 毫欧
特性
- 当 = -10V， = -8.8A 时，最大导通电阻为 20 毫欧
- 当 = -4.5V， = -6.7A 时，最大导通电阻为 35 毫欧
- 扩展的栅源电压范围（-25V），适用于电池应用
- 典型的人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）保护等级为 ±3.8 千伏（注释 3）
- 高性能沟槽技术，可实现极低的导通电阻
- 高功率和电流处理能力
- 无铅，符合 RoHS 标准
总体说明
这款 P 沟道 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺特别旨在将导通电阻降至最低。
此器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用场景。
