STD6N80K5 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET

产品概述 
STM STD6N80K5 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源管理、逆变器和其他高效能电路中。当前可用数量为 80836。 
产品技术资料 

最大漏极-源极电压 (Vds) ：800V，适合高压应用。 
最大漏极电流 (Id) ：6A，能够满足多种负载需求。 
导通电阻 (Rds(on)) ：典型值为 0.65Ω，降低功耗，提高效率。 
开关频率 ：支持高频开关，适合高效能电源设计。 
封装类型 ：TO-220，方便散热和安装。 

产品应用 
STD6N80K5 适用于以下领域： 

电源管理 ：在开关电源和线性电源中提供高效的电流控制。 
逆变器 ：用于太阳能逆变器和电动汽车逆变器，实现高效能转换。 
电机驱动 ：在电机控制系统中提供可靠的开关功能，提升驱动性能。 
消费电子 ：广泛应用于电视、音响等电子产品中，提高电源效率。 

产品介绍 
STM STD6N80K5 的设计旨在为用户提供高效、可靠的功率控制解决方案。其高电压和高电流特性使其特别适合于需要大功率和高效能的应用。此外，低导通电阻和快速开关特性确保了在各种工作条件下的高效运行。 
总之，STD6N80K5 是一款功能强大的功率 MOSFET，能够满足现代电子设备对高效能电源管理的需求。无论是在电源管理、逆变器还是电机驱动领域，它都能为用户提供卓越的功率解决方案，助力产品的创新与发展。