--- 产品参数 ---
- 功能类型 降压型;升降压型
- 输出类型 可调
- 工作电压 6V~120V
- 输出电压 1.2V~120V
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1 特性 • 功能安全型– 可提供用于功能安全系统设计的文档 • 专为在严苛的应用中实现可靠性而设计– 6V 至 120V 的宽输入电压范围(绝对最大值)– 结温范围:-40°C 至 +150°C– 固定 3ms 内部软启动计时器– 峰值和谷值电流限制保护– 输入 UVLO 和热关断保护 • 适用于可扩展的工业电源和电池包– 最短导通时间和关闭时间低至 50ns– 高达 1MHz 的可调节开关频率– 可实现高轻负载效率的二极管仿真– 自动模式下具有低静态电流 (< 10µA)– FPWM 模式支持 Fly-Buck 转换器功能– 3µA 关断静态电流– 与 LM5164-Q1、LM5163-Q1 和 LM5013-Q1 引 脚对引脚兼容– 与 LM5017 和 LM34927 具有类似的引脚排列和 功能。 • 通过集成技术减小设计尺寸,降低成本– COT 模式控制架构– 集成式 1.9Ω NFET 降压开关– 集成 0.71Ω NFET 同步整流器– 1.2V 内部电压基准– 无环路补偿组件– 内部 VCC 偏置稳压器和自举二极管– 开漏电源正常状态指示器– 封装选项:SOIC PowerPAD™-8 集成电路封装 或 WSON-8 封装
2 应用 • 通信 – 砖型电源模块 • 工业电池组(≥ 10 节) • 电池包 – 电动自行车、电动踏板车、LEV
3 说明 LM5169 和 LM5168 同步降压转换器用于在宽输入电 压范围内进行调节,从而更大限度地减少对外部浪涌抑 制元件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现 较大的降压比,支持从 48V 标称输入到低电压轨的直 接降压转换,从而降低系统的复杂性并减少解决方案成 本。LM516x 在输入电压突降至 6V 时能够根据需要以 接近 100% 的占空比工作,因而是宽输入电源电压范 围工业应用和高电芯数电池包应用的理想之选。 凭借集成式高侧和低侧功率 MOSFET,LM5169 可提 供高达 0.65A 的输出电流,LM5168 可提供高达 0.3A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构可提供几 乎恒定的开关频率,具有出色的负载和线路瞬态响应。 LM516x 能够以 FPWM 或自动模式运行。FPWM 模式 在整个负载范围内实现强制 CCM 运行,支持隔离式 Fly-Buck 转换器应用。自动模式可实现超低 IQ 和二极 管仿真模式运行,从而在轻负载下实现高效率

为你推荐
-
MSS4-Q-T/R——4P3T(四极三掷)、卧式贴片微型滑动开关2026-04-23 16:35
产品型号:MSS4-Q-T/R 触点形式:4P3T (4 极 3 掷、OnOnOn) 额定电流 / 电压:25mA @ 24VDC 接触电阻:≤100mΩ 绝缘电阻:≥100MΩ @ 500VDC -
16TQC10M为10uF ±20% 16V 3528钽电容2026-04-23 16:33
产品型号:16TQC10M 额定电压:16 VDC 静电容量:10 µF 额定纹波电流:800 mA rms ESR(最大):100 mΩ -
BLM15EG121SN1D 是村田0402 封装 (1005)、GHz 频段通用型片式铁氧体磁珠2026-04-23 16:31
产品型号:BLM15EG121SN1D 阻抗 @100MHz:120Ω ±25% 额定电流:1.5A (85℃);0.9A (125℃) 最大直流电阻 (DC:95mΩ 阻抗最小值 @100:100Ω -
SMPI0420T-1R0M一体成型金属粉芯屏蔽型贴片功率电感2026-04-23 16:29
产品型号:SMPI0420T-1R0M 电感值 L:1.0 μH 直流电阻 DCR:25 mΩ 饱和电流 Isat:7.0 A 温升电流 Irms:5.0 A -
HPI0402-1R0M是SMD4*4封装的金属粉芯模压型贴片功率电感2026-04-23 16:27
产品型号:HPI0402-1R0M 电感值 L:1.0 μH 直流电阻 DCR:16.4 mΩ 饱和电流 Isat:9.0 A 温升电流 Irms:6.5 A -
CM8V-T1A 32.768KHZ 12.5PF+/-20PPM-TA-QC2012 封装2012超薄 32.768kHz 音叉石英晶体2026-04-23 16:25
产品型号:CM8V-T1A 32.768KHZ 12.5PF+/-20 标称频率:32.768 kHz 频率精度:±20 ppm 负载电容:12.5 pF 封装尺寸:2.0×1.2×0.35 mm(max) -
MCG30P03-TP是DFN3333 封装的 P 沟道增强型功率 MOSFET2026-04-21 14:28
产品型号:MCG30P03-TP 沟道类型:P 沟道增强型 漏源击穿电压:(V<sub>(BR)DSS</sub>):-30V 连续漏极电流:(I<sub>D</sub>):-19A @ TC=25° 脉冲漏极电流: (I<sub>DM</sub>):-76A 封装形式:DFN3333 (3x3x0.9mm) -
NCV8402ASTT1G/3G是车规级、自保护 N 沟道低压侧智能功率开关2026-04-21 14:25
产品型号:NCV8402ASTT1G/3G 类型:N 沟道、自保护、低压侧(Low-Side)功率开关 耐压:VDS(BR) = 42V(漏源击穿电压) 电流:连续漏电流 ID = 2A(内置限流) 导通电阻:RDS (on) = 165mΩ(最大值,25°C) 封装:SOT-223-4 (TO-261-4),4 引脚表面贴装 -
MAX232DR是封装为SOIC-16的双驱动器/接收器2026-04-21 14:19
产品型号:MAX232DR 类型:双路 RS-232 驱动器 / 接收器 供电:单 5V(4.5–5.5V) 通道:2 驱动器 + 2 接收器 速率:最高 120kbps 温度范围:0°C ~ 70°C -
PIC32MX795F512L-80I/PT TQFP-100 32位闪存微控制器IC2026-04-21 14:15
产品型号: PIC32MX795F512L-80I/PT 主频:80 MHz (105 DMIPS) 工作电压:2.3V ~ 3.6V (典型 3.3V) 温度等级:工业级 -40°C ~ 85°C (后缀 I) Flash 程序存储:512 KB (外加 12 KB 引导 Flash)