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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK6217-55C-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK6217-55C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### BUK6217-55C-VB 产品简介

**产品名称**: BUK6217-55C-VB

**封装**: TO-252

**配置**: 单极N沟MOSFET

BUK6217-55C-VB是一款高性能N沟MOSFET,适用于要求高电压和低导通电阻的应用。该MOSFET采用紧凑的TO-252封装,利用先进的Trench技术,提供出色的效率和高电流处理能力,是各种高功率电子电路的理想选择。

### 详细参数说明

- **V_DS(漏源电压)**: 60V  
 MOSFET漏极与源极之间的最大耐压。

- **V_GS(栅源电压)**: ±20V  
 栅极与源极之间的最大允许电压。

- **V_th(栅极阈值电压)**: 2.5V  
 使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。

- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
 - 13mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 10mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻值。较低的R_DS(ON)值表示更高的开关效率和更低的功率损耗。

- **I_D(连续漏极电流)**: 58A  
 MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。

- **技术**: Trench  
 采用Trench技术,提供优秀的效率和低导通电阻。

### 应用领域

BUK6217-55C-VB MOSFET适合多种需要高电流和低电阻的应用场合:

1. **电源管理**:
  - **高效电源开关**: 在电源开关应用中表现出色,如高效开关电源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以显著降低功率损耗,提升系统整体效率。
  - **DC-DC转换器**: 适用于DC-DC转换器,能够在电力转换和电压调节中提供高效的性能。

2. **电机控制**:
  - **电动机驱动**: 适用于高功率电机驱动系统,如工业电机驱动或电动汽车(EV)电机控制,能够处理大电流且具备高效率。
  - **伺服电机**: 在精密控制系统中,如机器人和自动化设备,提供高效可靠的开关能力。

3. **汽车应用**:
  - **电力分配系统**: 用于汽车电力分配系统,处理高电流负载的开关,确保电力系统的可靠性和效率。
  - **电池管理系统(BMS)**: 提高混合动力车和电动汽车中的电池管理性能,处理高电流并优化电池使用。

4. **消费电子**:
  - **电源供应单元(PSU)**: 在消费电子产品中的高功率电源供应单元(如高性能计算机和音响系统)中提供高效电源管理。
  - **充电电路**: 适用于高电流充电应用,如电池充电器和快速充电系统,提供高效的充电解决方案。

BUK6217-55C-VB以其高电流处理能力和低导通电阻,适合高功率和高效率的应用需求,确保系统的性能和可靠性。

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