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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK6215-75C-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK6215-75C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、BUK6215-75C-VB 产品简介

BUK6215-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-252。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计,具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。其在 10V 的栅源电压下,导通电阻非常低,为 5mΩ,并且能支持高达 75A 的连续漏极电流 (ID)。这使得 BUK6215-75C-VB 非常适合高电流和低导通损耗的应用,广泛应用于电源管理、功率转换和高效开关应用中。

### 二、BUK6215-75C-VB 详细参数说明

| 参数                   | 值                       | 单位   |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号               | BUK6215-75C-VB           |        |
| 封装                   | TO-252                   |        |
| 配置                   | 单 N 沟道                |        |
| 漏源电压 (VDS)         | 80                       | V      |
| 栅源电压 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 阈值电压 (Vth)         | 3                        | V      |
| 导通电阻 (RDS(ON))     | 5                        | mΩ     |
| 栅极电流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 连续漏极电流 (ID)      | 75                       | A      |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 150              | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 125                      | W      |
| 工作温度范围           | -55 至 +175             | °C     |
| 存储温度范围           | -55 至 +175             | °C     |
| 技术                   | Trench                   |        |

### 三、应用领域和模块示例

BUK6215-75C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域和应用中表现优异,以下是几个具体的应用示例:

1. **电源管理**:在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中,BUK6215-75C-VB 可作为高效的开关元件,降低导通损耗,提高整体电源效率。

2. **功率转换**:在工业功率转换器和逆变器中,这款 MOSFET 可以处理大电流负载,确保稳定的功率转换和系统可靠性。

3. **电动机控制**:由于其高电流能力,BUK6215-75C-VB 适用于电动汽车和工业电动机驱动系统中,能够高效控制电机的启动、运行和停止。

4. **电池管理**:在电池管理系统 (BMS) 中,这款 MOSFET 能够处理高电流负载,提供过流保护和电池切换功能,增强电池系统的安全性。

这些应用示例展示了 BUK6215-75C-VB 在高电流、高效开关和功率转换场景中的重要作用。

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