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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK555-200A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK555-200A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### BUK555-200A-VB 产品简介

BUK555-200A-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,具有200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)。这款MOSFET采用先进的沟槽(Trench)技术,能够提供低导通电阻和高电流处理能力。其在VGS为10V时的导通电阻为110mΩ,最大漏极电流(ID)为30A。这些特性使得BUK555-200A-VB在高电压和高电流应用中表现出色,适用于各种电源管理和控制系统。

### BUK555-200A-VB 详细参数说明

| 参数             | 值                | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型         | TO220             |      |
| 配置             | 单N沟道           |      |
| 漏源电压 (VDS)   | 200               | V    |
| 栅源电压 (VGS)   | ±20               | V    |
| 阈值电压 (Vth)   | 3                 | V    |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 110               | mΩ   |
| 最大漏极电流 (ID) | 30                | A    |
| 技术             | 沟槽(Trench)    |      |

### BUK555-200A-VB 适用领域和模块

1. **高压电源管理(High-Voltage Power Management)**:
  BUK555-200A-VB适用于高压电源管理应用,如高压DC-DC转换器和电源开关。其200V的漏源电压使其能够处理高电压输入,同时其低导通电阻保证了高效的功率转换和最低的功率损耗。

2. **电动汽车(Electric Vehicles)**:
  在电动汽车中,该MOSFET可以用于电池管理系统和电机驱动器。其高电流处理能力(30A)和高耐压(200V)使其能够满足电动汽车高功率和高电压的要求,同时提供稳定的性能和可靠性。

3. **工业电源(Industrial Power Supplies)**:
  BUK555-200A-VB在工业电源中可用作高压开关和控制电路。其高电流能力和高耐压特性使其能够处理各种工业设备中的高功率负载。

4. **开关模式电源(Switching Mode Power Supplies, SMPS)**:
  在开关模式电源中,BUK555-200A-VB可以用作高压开关器件,以提高转换效率和系统稳定性。其低导通电阻和高电压耐受能力使其适用于要求苛刻的电源应用。

5. **逆变器(Inverters)**:
  在逆变器应用中,该MOSFET能够处理高电压和高电流,适用于太阳能逆变器和其他需要高效率电能转换的系统。其高耐压特性和高电流能力确保了逆变器的稳定性和性能。

BUK555-200A-VB以其出色的高压和高电流处理能力,在高压电源、工业控制和电动汽车等领域中提供了可靠的解决方案。

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