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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK553-100A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK553-100A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、BUK553-100A-VB 产品简介

BUK553-100A-VB 是一款由 NXP Semiconductors 生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-220 封装。这款 MOSFET 具备 100V 的漏源电压 (VDS) 和 20V 的栅源电压 (VGS),是基于先进的 Trench 技术制造的。其主要特性包括 127mΩ 的导通电阻 (RDS(ON)),在 10V 栅源电压下可承受 18A 的连续漏极电流 (ID)。这款 MOSFET 设计用于高效的开关和放大应用,广泛应用于电源管理、直流电机控制以及工业自动化领域。

### 二、BUK553-100A-VB 详细参数说明

| 参数                   | 值                       | 单位   |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号               | BUK553-100A-VB           |        |
| 封装                   | TO-220                   |        |
| 配置                   | 单 N 沟道                |        |
| 漏源电压 (VDS)         | 100                      | V      |
| 栅源电压 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 阈值电压 (Vth)         | 1.8                      | V      |
| 导通电阻 (RDS(ON))     | 127                      | mΩ     |
| 栅极电流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 连续漏极电流 (ID)      | 18                       | A      |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 72               | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 125                      | W      |
| 工作温度范围           | -55 至 +175             | °C     |
| 存储温度范围           | -55 至 +175             | °C     |
| 技术                   | Trench                   |        |

### 三、应用领域和模块示例

BUK553-100A-VB MOSFET 广泛应用于各种电子和工业领域,以下是几个应用示例:

1. **电源管理**:在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中,BUK553-100A-VB 可用于高效的电源开关,提升整体转换效率,减少能量损耗。
  
2. **直流电机控制**:在电动工具和家用电器中的直流电机控制模块中,该 MOSFET 可用作 H 桥电路的一部分,以实现对电机的精确控制和调速。

3. **工业自动化**:在工业自动化设备如可编程逻辑控制器 (PLC) 和驱动器中,BUK553-100A-VB 可用于控制高功率负载,如电磁阀和继电器,确保系统的可靠性和响应速度。

4. **汽车电子**:在汽车电子中,该 MOSFET 可用于电源分配模块 (PDM),电动助力转向 (EPS) 系统和车载充电器中,提供稳定的电流供应和保护功能。

通过这些应用示例,BUK553-100A-VB 展示了其在高效电源开关、精确电机控制以及可靠工业和汽车系统中的广泛应用潜力。

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