--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK456-200B-VB 产品简介
**产品简介:**
BUK456-200B-VB 是一款高电流、单N沟道MOSFET,封装为TO220。其最大漏极电压(VDS)为200V,栅极电压(VGS)最大为±20V,阈值电压(Vth)为3V。该MOSFET在栅极电压为10V时的导通电阻(RDS(ON))为110mΩ,最大连续漏极电流(ID)为30A。采用先进的沟槽技术(Trench)制造,BUK456-200B-VB 适合于高电流和中等电压的应用,提供优良的开关性能和稳定的电气特性。
### BUK456-200B-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| **封装类型** | TO220 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏极电压(VDS)** | 200V |
| **最大栅极电压(VGS)** | ±20V |
| **阈值电压(Vth)** | 3V |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 110mΩ @ VGS=10V |
| **最大连续漏极电流(ID)** | 30A |
| **技术** | 沟槽(Trench) |

### BUK456-200B-VB 适用领域和模块
**高电流电源开关:** BUK456-200B-VB 在高电流电源开关应用中表现出色,适用于高电流DC-DC转换器和开关电源。其200V的漏极电压和110mΩ的导通电阻使其能够处理高电流环境中的开关需求,提供可靠的电气性能和热管理。
**电机驱动:** 在电机驱动应用中,如电动工具和工业电机控制系统,BUK456-200B-VB 能够处理高电流负载。其30A的最大电流承载能力和良好的开关性能使其适合用于电机控制中的高电流驱动需求。
**功率开关:** 在功率开关应用中,例如家电和工业设备中的功率控制,BUK456-200B-VB 能够高效处理高电流负载。其高电流处理能力和低导通电阻确保了稳定的功率开关性能。
**汽车电子:** 在汽车电子系统中,如电源控制模块和车身控制单元,BUK456-200B-VB 的高电流处理能力和良好的开关性能能够提供可靠的电压和电流控制。适用于汽车电源管理和电流控制应用。
**LED驱动:** 在LED驱动模块中,BUK456-200B-VB 能够高效地调节电流,适用于高功率LED灯具的驱动。其良好的开关性能和低导通电阻有助于提高LED驱动器的效率和稳定性。
总之,BUK456-200B-VB 是一款具有高电流处理能力和优良开关性能的MOSFET,适用于高电流电源开关、电机驱动、功率开关、汽车电子和LED驱动等多个领域,能够满足各种高电流应用的需求。
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