--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、BUK436-200B-VB 产品简介
BUK436-200B-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,结合了Trench技术的先进设计。这款MOSFET 具有200V的高漏源极电压和30A的高电流承载能力,旨在满足高压和高电流应用的需求。它提供低导通电阻和稳定的电气性能,非常适合用于各种高电压开关和电源管理系统。
### 二、BUK436-200B-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK436-200B-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

### 三、BUK436-200B-VB 适用领域和模块举例
BUK436-200B-VB 的高电压和高电流能力使其在多个领域和模块中得到广泛应用:
1. **高压电源管理系统**: 由于其200V的高电压承受能力,BUK436-200B-VB 非常适合用于高压电源管理系统,如高压DC-DC转换器和AC-DC电源转换器。这些应用要求MOSFET 在高电压条件下稳定运行,以实现高效能和可靠性。
2. **电机驱动控制**: 在电动汽车控制器、电动工具和其他电机驱动应用中,该MOSFET 的高电流处理能力和高电压耐受性能够支持高功率电机的运行。特别是在高电流负荷下,能够确保电机稳定运行和良好的性能。
3. **功率开关设备**: BUK436-200B-VB 的高电流和高电压特性使其适用于各种功率开关设备,包括开关电源和功率放大器。它能够有效地处理高功率负载,确保开关过程中的高效和安全。
4. **逆变器和充电器**: 在太阳能逆变器和电池充电器等高压应用中,BUK436-200B-VB 能够处理来自电池或太阳能板的高电压输出,确保逆变器和充电器系统的稳定运行。其低导通电阻也有助于提升整体系统的效率。
BUK436-200B-VB 的高电压耐受性、良好的导通性能和高电流处理能力,使其成为高效能、高可靠性电力电子系统中的关键组件,适用于各种需要高电压和高电流的应用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12