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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BSZ16DN25NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSZ16DN25NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 DFN8(3X3)
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**BSZ16DN25NS3** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装形式为DFN8(3X3)。它采用了沟槽(Trench)技术,具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,专为高电压、高功率应用设计。该MOSFET广泛应用于电源管理、开关电路及其他需要高电压和高电流处理的场景。

### 详细参数说明

- **型号**: BSZ16DN25NS3
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单极N沟道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压(V_DS)**: 250V
- **栅极-源极耐压(V_GS)**: ±20V
- **阈值电压(V_th)**: 3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**: 125mΩ(在V_GS = 10V时)
- **漏极电流(I_D)**: 10.3A
- **技术**: 沟槽(Trench)

### 应用领域及模块示例

**1. 高压电源管理:**  
BSZ16DN25NS3 具有高达250V的漏极-源极耐压,使其非常适合用于高压电源管理系统。这款MOSFET可以在高电压环境下稳定工作,广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和电源开关模块。

**2. 工业设备:**  
在工业设备中,如电机驱动系统和电源保护电路,BSZ16DN25NS3 提供可靠的高电压开关能力。它能够在高功率条件下高效工作,确保设备的稳定性和安全性。

**3. 电池管理系统:**  
这款MOSFET 在电池管理系统中用于高电压应用时,能够提供可靠的开关性能和过流保护。例如,它可以用于电池充电和放电控制,确保电池在高电压环境下的安全和有效操作。

**4. 逆变器和变换器:**  
在逆变器和变换器模块中,BSZ16DN25NS3 的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想选择。它能够有效地管理和转换电力,保证系统的高效运行。

**5. 汽车电子系统:**  
在汽车电子系统中,这款MOSFET 适用于高电压的开关和保护应用,如电池保护和高压负载开关。它的高电压处理能力和稳定性使其适合于汽车环境中的苛刻条件。

BSZ16DN25NS3 的这些应用示例展示了其在不同领域中的广泛适用性,特别是在高电压和高功率环境中表现优异。

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