企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

BSS209PW-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSS209PW-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SC70-3
  • 沟道 Single-P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**BSS209PW-VB** 是一款高效单 P-Channel MOSFET,封装形式为 SC70-3。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有低导通电阻和较高的电流承载能力,适用于低电压负载开关和电源管理应用。其紧凑的封装使其适合空间受限的电子设备。

### 详细参数说明

- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: -20V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±12V
- **阈值电压 (V_th)**: -0.6V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
 - 100mΩ @ V_GS = 2.5V
 - 80mΩ @ V_GS = 4.5V
- **最大漏电流 (I_D)**: -3.1A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

1. **低电压开关**: BSS209PW-VB 适用于低电压负载开关应用,例如移动设备和小型消费电子产品,能够提供高效的开关性能。

2. **电源管理**: 在电源管理系统中,此 MOSFET 可以作为开关元件使用,适合用于低电压电源调节和保护电路。

3. **负载控制**: 适用于控制小功率负载,如低电流电机和LED驱动器,能够稳定控制负载的开关。

4. **紧凑型电子设备**: 由于其小巧的 SC70-3 封装,适用于空间有限的电子设备,如便携式设备和小型模块,提供可靠的开关功能。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    711浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    591浏览量