--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
BSS138W-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SC70-3,设计用于中等电压的小型开关应用。该 MOSFET 的 VDS(漏极-源极最大电压)为 60V,最大栅源极电压 VGS 为 ±20V,漏极电流 ID 达到 0.3A。其导通电阻 RDS(ON) 为 4000mΩ(在 VGS=4.5V 时)和 2000mΩ(在 VGS=10V 时),采用沟槽型工艺技术,适合用于低功耗、小型开关电路。
**详细参数说明:**
- **封装**: SC70-3
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**: 60V
- **栅源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 4000mΩ @ VGS = 4.5V;2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型工艺

**应用领域和模块示例:**
1. **小型电源开关**:在便携式电子设备和小型电源管理模块中,BSS138W-VB 的小型封装和适中导通电阻使其成为高效能开关的理想选择。
2. **信号开关**:适用于低电流信号开关电路,如低功耗传感器和控制信号的开关,能够在小型电子设计中提供可靠的开关功能。
3. **过压保护**:用于过压保护电路,在电子设备需要对电压过高的情况进行保护时,BSS138W-VB 能够有效地承受和处理高电压保护需求。
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