--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**BSS138L-AE2-R-VB** 是一款高耐压单 N-Channel MOSFET,封装形式为 SOT23-3。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够在较高的漏源电压下稳定工作,适用于中低功耗开关和信号处理应用,具有较高的开关效率和稳定性。
### 详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 3100mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 0.3A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块
1. **高耐压开关应用**: BSS138L-AE2-R-VB 适用于高耐压开关电源中,能够在高电压条件下稳定工作,保证电源系统的可靠性。
2. **信号开关**: 在信号处理电路中使用,适合用于控制低功耗信号开关,提供稳定的开关性能和较低的功耗。
3. **电源管理**: 用于电源管理电路,能够有效调节和控制电流,适用于高电压电源调节和保护电路。
4. **电子设备保护**: 适用于各种电子设备中的过压保护电路,帮助保护设备免受高电压损害。
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