### 产品简介
**BSS123-NL-VB** 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-3。该MOSFET具有高达100V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS）。它的设计重点在于提供良好的开关性能和可靠的电流控制，适用于需要高电压和低功率应用的电路。
### 参数说明
- **型号**: BSS123-NL-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 3000mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 0.26A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSS123-NL-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **高电压开关电路**: 在需要处理高电压的开关电路中使用，如高电压电源开关和负载开关，提供可靠的开关性能。
2. **电源管理**: 在高电压电源管理系统中，作为开关或控制器件，适用于高电压的功率转换和电流控制。
3. **信号调节**: 用于高电压信号处理和调节电路中，能够处理高电压信号并提供良好的开关性能。
4. **小型电子设备**: 适用于高电压小型电子设备中的开关和控制功能，提供稳定的电流处理能力。
该MOSFET的高电压处理能力和相对较高的导通电阻使其在各种高电压和低功率应用中表现稳定。
