--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
BSR92P-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,封装为 SOT23-3,设计用于高电压开关应用。它具有 -200V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 -3V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下,导通电阻为 1100mΩ,在 10V 的栅极驱动电压下为 800mΩ。最大漏极电流为 -0.8A,采用 Trench 技术,提供了在高电压下可靠的开关性能和较低的导通电阻。
### 参数说明
- **型号**: BSR92P-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -200V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 4.5V
- 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -0.8A
- **技术**: Trench 技术

### 应用领域
BSR92P-VB 适用于以下领域和模块:
- **电源开关**: 在高电压电源管理系统中作为开关元件,控制电源的开关操作,确保高电压下的稳定性。
- **高电压保护**: 用于高电压电源和设备中的保护开关,防止过电压情况对电路造成损害。
- **工业控制**: 在需要高电压控制的工业应用中提供可靠的开关功能,保证设备的安全运行。
- **消费电子**: 适用于需要高电压控制的电子产品中,如高电压电源适配器和某些特殊应用的电子设备。
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