--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号**: BSL806N-VB
**封装**: SOT23-6
**配置**: 双N沟道MOSFET(N+N)
**技术**: 沟槽型技术
### 详细参数说明
- **VDS**: 20V (漏源极电压)
- **VGS**: ±12V (栅源极电压)
- **Vth**: 0.5~1.5V (栅源极阈值电压)
- **RDS(ON)**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 6A (漏极电流)

### 应用领域和模块
1. **电源管理**: 适用于DC-DC转换器和小型电源开关,提供高效的电流控制和低导通电阻。
2. **消费电子**: 用于智能手机、平板电脑等设备中的功率开关和电源管理模块,提升电源效率和稳定性。
3. **便携式设备**: 在便携式电子产品中用于电源管理和开关控制,优化能源使用并延长电池寿命。
4. **小型电机控制**: 适合小型电机和负载控制应用,确保高效的电流开关和负载管理。
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