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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BSL806N-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSL806N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23-6
  • 沟道 Dual-N+N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号**: BSL806N-VB  
**封装**: SOT23-6  
**配置**: 双N沟道MOSFET(N+N)  
**技术**: 沟槽型技术

### 详细参数说明

- **VDS**: 20V (漏源极电压)
- **VGS**: ±12V (栅源极电压)
- **Vth**: 0.5~1.5V (栅源极阈值电压)
- **RDS(ON)**: 
 - 28mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 6A (漏极电流)

### 应用领域和模块

1. **电源管理**: 适用于DC-DC转换器和小型电源开关,提供高效的电流控制和低导通电阻。
2. **消费电子**: 用于智能手机、平板电脑等设备中的功率开关和电源管理模块,提升电源效率和稳定性。
3. **便携式设备**: 在便携式电子产品中用于电源管理和开关控制,优化能源使用并延长电池寿命。
4. **小型电机控制**: 适合小型电机和负载控制应用,确保高效的电流开关和负载管理。

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