--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
BSC360N15NS3 G-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET,封装为 DFN8(5x6)。它能够承受高达 150V 的漏源电压,并提供稳定的电流处理能力,适合用于高电压和高功率应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC360N15NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 150V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 15.8 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 53.7A
- **技术**: 沟槽型

### 适用领域和模块
BSC360N15NS3 G-VB 适用于:
1. **高压电源管理**:其高 VDS 使其适合用于高压电源转换器和管理电路。
2. **功率开关应用**:能够处理高电压和电流,适合于功率开关模块和电源开关。
3. **工业设备**:用于需要高耐压和高电流的工业控制系统和电机驱动电路。
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