企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

BSC360N15NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSC360N15NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 DFN8(5X6)
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

BSC360N15NS3 G-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET,封装为 DFN8(5x6)。它能够承受高达 150V 的漏源电压,并提供稳定的电流处理能力,适合用于高电压和高功率应用。

### 详细参数说明

- **型号**: BSC360N15NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 150V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 15.8 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 53.7A
- **技术**: 沟槽型

### 适用领域和模块

BSC360N15NS3 G-VB 适用于:

1. **高压电源管理**:其高 VDS 使其适合用于高压电源转换器和管理电路。
2. **功率开关应用**:能够处理高电压和电流,适合于功率开关模块和电源开关。
3. **工业设备**:用于需要高耐压和高电流的工业控制系统和电机驱动电路。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    843浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    672浏览量