--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
B436-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO263封装。这款MOSFET具备30V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),在4.5V和10V栅极驱动电压下具有极低的导通电阻(RDS(ON)),分别为2.7mΩ和2.4mΩ。其导通电流(ID)高达98A,采用先进的Trench技术制造,具有优异的开关性能和高效的功率处理能力,非常适合高电流应用场合。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.7mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:98A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
B436-VB 在电源管理模块中表现优异,尤其在DC-DC转换器中,可以有效降低导通损耗,提高转换效率。
2. **电动工具**:
由于其高电流处理能力和低导通电阻,这款MOSFET 非常适合用于电动工具的电机驱动电路中,提供稳定且高效的电流驱动。
3. **汽车电子**:
在汽车电子领域,如电动助力转向(EPS)系统和电动门窗驱动中,B436-VB 能提供可靠的高电流输出,确保系统稳定运行。
4. **工业控制**:
工业控制系统中常需处理大电流负载,B436-VB 由于其低导通电阻和高电流能力,能够在工业驱动器和控制器中实现高效的功率传输和管理。
5. **消费电子**:
在大功率消费电子产品中,例如高性能音响设备和家电,B436-VB 可以有效降低功耗,提高产品的整体性能和寿命。
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