--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介**
B4184-VB是一款高性能的单N通道场效应晶体管(MOSFET),封装为TO-263,采用Trench工艺。该MOSFET设计用于处理高电流和中等电压应用,能够承受最高40V的漏源电压,并提供高达100A的漏电流。它的低导通电阻特性使其在高电流应用中表现优异,适合各种需要高效开关和电源管理的系统。
**详细参数说明**
- **型号**:B4184-VB
- **封装**:TO-263
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**:40V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:2.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 4.5V时:6mΩ
- 10V时:5mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**:100A
- **技术**:Trench工艺

**应用领域和模块**
1. **高效电源转换**:B4184-VB适用于DC-DC转换器和AC-DC电源供应系统,能够处理高电流负载,并提供高效的电源转换,降低功耗损耗。
2. **电动汽车**:在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动中,此MOSFET能够处理高电流负载,确保系统的高效运作和稳定性。
3. **工业电机控制**:用于工业设备中的电机控制系统,提供高电流控制和低导通电阻,优化电机驱动效率并减少能耗。
4. **高功率负载驱动**:适合高功率电源和负载驱动应用,能够在40V的电压条件下稳定工作,适用于高电流需求的场合。
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