### 产品简介
**型号**: B286L-VB
**封装**: TO220
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 80V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 3V
**导通电阻**:
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V
- 7mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 100A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: B286L-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 80V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V
- 7mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 100A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **电源开关模块**
B286L-VB 的低导通电阻和高电流能力使其适用于电源开关模块，能有效处理高电流和高功率，提升系统效率并降低热损耗。
2. **电动汽车充电器**
由于其高耐压和稳定的开关性能，该MOSFET 适合用于电动汽车充电器中，提供可靠的功率开关和电流控制，确保充电过程的安全和高效。
3. **工业电机驱动**
在工业电机驱动系统中，B286L-VB 能够处理大电流负载，提供高效的开关功能和优良的电流控制，支持电机的稳定运行和高性能。
4. **大功率LED驱动**
适用于大功率LED驱动电路中，通过低导通电阻和高电流处理能力，确保LED的高效照明和长寿命，广泛应用于照明和显示系统。
