--- 产品参数 ---
- 封装 TO262
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AUIRL1404ZL-VB MOSFET产品简介
AUIRL1404ZL-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO262封装。它基于先进的Trench技术设计,专为高电流应用提供优异的开关性能和极低的导通电阻。AUIRL1404ZL-VB的高电流承载能力和低导通电阻使其特别适合用于高效电源管理、直流电机驱动和其他要求高可靠性的功率转换应用。
### AUIRL1404ZL-VB详细参数说明
- **封装类型**: TO262
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 40V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3.3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 1.7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 150A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

### 适用领域和模块举例
1. **电源管理系统**:
- AUIRL1404ZL-VB在DC-DC转换器和电源调节器中非常有效。其极低的导通电阻减少了能量损耗,提升了转换效率,适用于高性能的电源模块和电源管理应用。
2. **电动汽车(EV)**:
- 在电动汽车的电池管理系统和电机驱动系统中,AUIRL1404ZL-VB能够处理高电流负载,其低导通电阻和高电流承载能力支持电机的高效运行和电池的可靠保护。
3. **工业自动化**:
- 在工业自动化设备中,如变频器和伺服驱动器,AUIRL1404ZL-VB的高电流能力和低导通电阻确保了设备的高效稳定运行,适合要求高效能和高可靠性的工业控制系统。
4. **电力转换设备**:
- 用于逆变器和高功率电源模块中,AUIRL1404ZL-VB作为开关元件能够提供稳定的功率转换,减少损耗,适用于高功率的电力转换应用。
5. **高功率电子设备**:
- 在需要处理高功率和高电流的电子设备中,AUIRL1404ZL-VB能够有效地管理高负载,确保设备在高负荷条件下的稳定性和可靠性,例如大功率LED驱动器和高功率电源适配器。
AUIRL1404ZL-VB的高性能特性使其在各种高电流和高功率应用场景中表现优异,能够满足对高效率和高可靠性的严苛要求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12