--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AUIRF9952QTRPBF-VB 是一款双通道N+P沟道MOSFET,封装为SOP8。该MOSFET 采用先进的沟槽(Trench)技术,具有高效的导通性能和较低的导通电阻,适用于各种需要高电流和高效能的应用场景。AUIRF9952QTRPBF-VB 提供了稳定的性能和可靠性,适用于多种电源管理和开关应用。
### 详细的参数说明
- **型号**:AUIRF9952QTRPBF-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:双通道N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N通道:1.6V
- P通道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N通道:24mΩ @ VGS=4.5V;18mΩ @ VGS=10V
- P通道:50mΩ @ VGS=4.5V;40mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:沟槽(Trench)

### 应用领域和模块举例
1. **电源管理系统**:
AUIRF9952QTRPBF-VB 适用于电源管理系统中的各种应用,例如DC-DC转换器和稳压器。其双通道配置使其能够在一个器件中实现多种开关功能,提高系统的集成度和效率。
2. **电池保护模块**:
在电池管理系统中,这款MOSFET 可以用作电池保护开关,以防止过电流和过电压情况。它的双通道配置允许在一个模块中同时管理充电和放电保护,提高系统的可靠性。
3. **负载开关和电机驱动**:
AUIRF9952QTRPBF-VB 适用于需要高效负载开关的应用,如电机驱动和高功率负载开关。其低导通电阻确保了低功耗和高效能,使其适用于各种工业和消费电子设备。
4. **便携式设备**:
对于便携式设备,如智能手机和平板电脑,该MOSFET 可以用于电源开关和电池管理电路。其小型SOP8封装和高效能使其非常适合空间有限的便携式应用。
5. **自动化控制系统**:
在自动化控制系统中,这款MOSFET 可以用于控制各种执行器和传感器的电源开关。其高电流处理能力和双通道配置提供了灵活的控制选项,使其适用于复杂的自动化控制应用。
AUIRF9952QTRPBF-VB 的双通道设计、高效能和可靠性使其在多种应用中表现出色,提供了广泛的功能和优越的性能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12