--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AUFB3207-VB 产品简介
AUFB3207-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,由 AUK 生产。该器件基于 Trench 技术,专为高电压和高电流应用设计。AUFB3207-VB 提供了 80V 的漏源极电压能力和高达 195A 的漏极电流能力,其超低导通电阻使其适用于高功率和高效能的电源管理和开关控制应用。
### 二、详细参数说明
- **型号**: AUFB3207-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 80V
- **栅源极电压 (VGS)**: 20(±V)
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 3.6mΩ
- @ VGS = 10V: 3mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 195A
- **技术**: Trench

### 三、应用领域和模块举例
AUFB3207-VB 的高电流和高电压能力使其在多个领域和模块中具有广泛应用:
1. **高功率电源管理**:
- 适用于高功率电源管理系统,如高电压 DC-DC 转换器和电源供应器。AUFB3207-VB 的 80V 漏源极电压和 195A 漏极电流能力能够处理高功率负载,提供稳定高效的电源管理。
2. **电动汽车**:
- 用于电动汽车的电源系统和电池管理。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够在电动汽车的高功率和高电流环境中稳定工作,确保电动驱动系统的高效和安全。
3. **工业电源控制**:
- 在工业设备和电机控制系统中应用。AUFB3207-VB 的高电流能力和低导通电阻能够满足工业环境中的高功率需求,提供可靠的电源控制解决方案。
4. **高功率开关应用**:
- 适用于高功率开关控制,如大功率负载开关和高效能电源开关。AUFB3207-VB 的低导通电阻确保了开关操作的高效性,适合用于高功率负载下的开关控制。
5. **功率放大器**:
- 在功率放大器电路中使用,尤其是在高电压和高电流应用中。AUFB3207-VB 的高电流能力和低导通电阻有助于提升功率放大器的性能和效率,适用于高功率放大系统。
AUFB3207-VB 的设计使其在高电流和高电压应用中表现出色,为各种高功率电源管理和开关控制应用提供了可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12