--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 TO263
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**AUF2903ZS-VB** 是一款封装在TO263中的N-通道MOSFET,采用Trench技术设计。这款MOSFET以其超低导通电阻和极高的电流承载能力而著称,适用于高效能和高电流应用。其高电压耐受能力和卓越的开关性能,使其在各种高要求的电源管理和开关系统中表现出色。
### 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|---------------------------------|
| **封装** | TO263 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **VDS** | 30V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth (阈值电压)** | 1.7V |
| **RDS(on)@VGS=4.5V** | 1.6mΩ |
| **RDS(on)@VGS=10V** | 1.4mΩ |
| **ID (漏极电流)** | 260A |
| **技术** | Trench |

### 应用领域和模块
**AUF2903ZS-VB** 适用于以下领域和模块:
1. **高电流电源管理(High Current Power Management)**:
- 在高电流DC-DC转换器和电源适配器中用于高效的电流开关和电压调节。
- 适合用于高功率电源模块和大电流电源分配系统,确保稳定的电源输出和高效的电流控制。
2. **工业电源(Industrial Power Supplies)**:
- 用于工业设备中的高电流开关和电源管理,提供可靠的电源控制和高效能。
- 适合用于工业电源模块、大功率驱动器和电机控制系统,提升系统的稳定性和性能。
3. **电力逆变器(Power Inverters)**:
- 在光伏逆变器和其他电力逆变器中提供高电流开关和电流控制。
- 确保逆变器的高效能和稳定性,适用于太阳能发电系统和高功率逆变器。
4. **高功率开关(High Power Switches)**:
- 在高功率应用中提供大电流和高效能的开关能力。
- 适合用于高功率电源开关、负载切换和高电流开关系统,确保设备的安全性和可靠性。
5. **电动汽车(Electric Vehicles)**:
- 在电动汽车的电源管理和驱动系统中,用于高电流电池管理和电动驱动控制。
- 提供稳定的开关性能和大电流承载能力,提升电动汽车的动力系统性能和效率。
通过这些应用示例,**AUF2903ZS-VB** 展示了其在高电流和高效能应用中的广泛适用性和卓越性能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12