--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
APM1401AS-TRL-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于低压和中功率应用场合。其封装为 SC70-3,具有低导通电阻和能效高的特点,适合于需要高效能转换和小型化设计的电子设备和便携设备。
### 2. 参数说明
- **型号**: APM1401AS-TRL-VB
- **封装**: SC70-3
- **结构**: 单 P-沟道
- **耐压 (VDS)**: -20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: -3.1A (负值表示漏极电流方向为沟道电流)
- **技术**: Trench

### 3. 应用示例
APM1401AS-TRL-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,例如:
- **移动设备**: 适用于手机和平板电脑等移动设备的电源管理,作为电源开关器件,实现高效的电池管理和长续航时间。
- **便携式消费电子**: 在便携式音频设备、电子书阅读器等小型电子产品中,用于电池供电系统,提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
- **医疗电子**: 在医疗设备中,如便携式医疗监护设备和诊断设备,用作电池管理和功率开关器件,确保设备运行的可靠性和稳定性。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中的低压应用,如车载充电器、车载电子设备的电源管理,支持车辆电子系统的高效能转换和稳定的电源供应。
- **工业控制**: 在工业控制系统中,作为电源开关和电流调节器件,支持高效能转换和精确的电力管理,提升生产设备的效率和可靠性。
以上示例展示了 APM1401AS-TRL-VB 多方面的应用优势,利用其小型封装、低导通电阻和高效能转换能力,为各种便携式和低压应用提供可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12