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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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APM1401ASC-TRL-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM1401ASC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SC70-3
  • 沟道 Single-P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:

APM1401ASC-TRL-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 SC70-3。它具有负漏源电压容忍度和低导通电阻,适用于需要控制负载电流和低功耗的电子应用。

### 2. 详细参数说明:

- **包装类型(Package):** SC70-3
- **配置(Configuration):** Single-P-Channel
- **漏源电压(VDS):** -20V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±12V
- **门槽电压阈值(Vth):** -0.6V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
 - 100mΩ @ VGS = 2.5V
 - 80mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流(ID):** -3.1A (负值表示电流流向与常规 MOSFET 相反)
- **技术(Technology):** Trench

### 3. 应用举例:

- **电池管理系统:** APM1401ASC-TRL-VB 可用于移动设备和便携式电子产品的电池管理系统,如智能手机、平板电脑和便携式电源,用于电池充放电控制。

- **负载开关和电源逆变器:** 适用于负载开关和电源逆变器,如便携式逆变器、便携式电源逆变器和电动工具,以实现有效的电源管理和能量转换。

- **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,如车载电源管理、LED 灯控制和小型电机驱动,APM1401ASC-TRL-VB 可提供紧凑、高效的解决方案。

APM1401ASC-TRL-VB 在需要控制负载电流、低功耗和紧凑封装的电子设备中展示了其广泛的应用潜力,特别是在需要处理负漏源电压和低功耗要求的场合中表现优异。

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