--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AOU408-VB 产品简介
AOU408-VB 是一款单 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 TO251 封装,由 VBsemi 公司生产。它具有高耐压能力和低导通电阻特性,适合用于要求高效能和稳定性能的电源管理和功率控制应用。
### AOU408-VB 参数说明
- **封装类型**:TO251
- **配置**:单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:36mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:35A
- **技术**:Trench

### 适用领域和模块
#### 电动工具和家电
AOU408-VB 在电动工具和家用电器中的应用,能够有效管理设备的功率输出。其低导通电阻和高电流承载能力,有助于提高设备的效率和性能,延长使用寿命。
#### 电源逆变器
在工业和商业电源逆变器中,AOU408-VB 可以作为关键的功率开关器件,用于直流到交流的电能转换。其稳定的电气特性和高功率处理能力,适合于各种规模的能源管理系统。
#### 车载电子系统
AOU408-VB 可以在车载电子系统中用作电源管理和驱动控制器的组成部分。其高耐压特性和可靠的性能,确保了在车辆电气系统中的安全和稳定运行。
#### 工业自动化设备
在工业自动化设备中,AOU408-VB 可以用于各种电源管理和功率控制应用,包括机器人技术、自动化生产线和工厂设备。其优异的热稳定性和低导通电阻,有助于提升设备的效率和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12